1. 電源 DDR的電源可以分為三類A.主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設計時,需要考慮電壓 ...
一 DDR電源簡介 . 電源 DDR的電源可以分為三類: a 主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。 有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設計時,需要考慮電壓,電流是否滿足要求,電源的上電順序和電源的上電時間,單調性等。電源電壓的要求一般 ...
2019-02-13 10:35 0 1246 推薦指數:
1. 電源 DDR的電源可以分為三類A.主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設計時,需要考慮電壓 ...
DDR3的設計有着嚴格等長要求,歸結起來分為兩類(以64位的DDR3為例): 數據 (DQ,DQS,DQM):組內等長,誤差控制在20MIL以內,組間不需要考慮等長;地址、控制、時鍾信號:地址、控制信號以時鍾作參考,誤差控制在100MIL以內,Address、Control與CLK歸為一組 ...
參考資料:簡單直流二倍壓電路介紹 倍壓整流電路圖大全(九款倍壓整流電路設計原理圖詳解) 倍壓整流電路的工作原理 在電路設計過程中,當后級需要的電壓比前級高出數倍而所需要的電流並不是很大時,就可以使用倍壓整流電路。倍壓整流:可以將較低的交流電壓,用耐壓較高的整流二極管和電容器,“整 ...
參考資料:DC/DC降壓電源芯片內部設計原理和結構 MP2315(DC/DC電源芯片)解讀 DC/DC電源詳解 第一次寫博客,不喜勿噴,謝謝!!! DC/DC電源指直流轉換為直流的電源,從這個定義上看,LDO(低壓差線性穩壓器)芯片也應該屬於DC/DC電源,但一般只將直流 ...
前面高速先生已經講解過眾多的DDR3理論和仿真知識,下面就開始談談我們LATOUT攻城獅對DDR3設計那些事情了,那么布局自然是首當其沖了。對於DDR3的布局我們首先需要確認芯片是否支持FLY-BY走線拓撲結構,來確定我們是使用T拓撲結構還是FLY-BY拓撲結構.。常規我們DDR3的布局滿足 ...
參考資料:I2C總線3.3V與5V雙向電平轉換電路 為了實現在不同電源系統中通過I2C總線進行通訊,需要設計一種電平轉換電路。 一、電路功能需求 該轉換電路需滿足以下要求: 1、將不同電源系統系統隔離,防止高壓器件的高電壓毛刺對低壓電路造成損壞; 2、不影響I2C ...
TMS320C6678外部存儲器DDR3硬件設計以及軟件調試 文章主要介紹了一下,TMS320C6678 DSP的DDR3的硬件設計需要注意的問題以及相應的軟件調試的問題。 ------作者:jiangwenj02 ...
1. MCB和MIG的關系 MCB,英文全稱為Memory Controller Block,直譯是存儲器控制塊,是SPARTAN6芯片中的硬件模塊,可以實現對DDR,DDR2,DDR3,LPDDR等存儲單元的讀寫操作。 MIG,英文全稱或為Memory Interface ...