原文:NAND Flash底層原理,SLC MLC TLC比較

NAND Flash 的存儲原理 固態硬盤最小單元的基本架構如下: 我們知道計算機中所有的信息儲存最終都必須回歸到 與 ,原則上,只要存儲單元能提供兩種或兩種以上可供辨識的狀態,便可以拿來紀錄數據。 寫入數據 在 NAND Flash 中,當我們需要寫入數據時,會在圖中的控制閘 Control Gate 施加高電壓,然后允許源極 Source 與汲極 Drain 間的 N信道 N Channel ...

2017-07-27 18:14 0 2913 推薦指數:

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儲存技術(SLCMLCTLC和QLC的NAND閃存技術)和Optane Memory

1.轉載:Optane Memory 2.構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,SLCMLCTLC三者都是閃存的類型 需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數,不是讀出的次數,因為讀取對芯片的壽命影響不大。 首先就要說說TLC是什么。簡單來說TLC就是一種成本上相對比較 ...

Thu May 03 22:15:00 CST 2018 0 2765
ssd存儲的SLCMLCTLC閃存芯片顆粒有什么區別?

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快壽命長,價格貴(約MLC 3倍以上的價格),約10萬次擦寫壽命; MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價格一般,約3000—10000次擦寫壽命 TLC ...

Sat Apr 07 07:20:00 CST 2018 0 1379
Nand flash 芯片工作原理

Nand flash 芯片型號為 Samsung K9F1208U0B,數據存儲容量為 64MB,采用塊頁式存儲管理。8 個 I/O 引腳充當數據、地址、命令的復用端口。 芯片內部存儲布局及存儲操作特點 一片 Nand flash 為一個設備(device), 其數據存儲 ...

Sat Jun 29 17:15:00 CST 2019 0 804
Nand flash基本原理

  前面了解了隨機存取存儲器的基本原理,其主要是通過電容的充放電來保證數據的讀寫,當掉電后,其數據也丟失了,這節我們主要學習下flash的基本組成和原理。現在Flash在嵌入式系統中的地位和pc上的硬盤類似,用於保存系統運行所必須的系統,數據和應用層序,與內存掉電后丟失不同,它在掉點后仍可永久保存 ...

Sun Jun 19 23:00:00 CST 2016 0 16168
NAND Flash基本原理

一.基本概念 Flash Memory中文名字叫閃存,是一種長壽命的非易失性(Non-volatile Memory Device,在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器。閃存按功能特性可分為兩種,一種是NOR Flash,以編碼應用為主,其功能多與運算相關;另一種為NAND Flash ...

Tue Oct 03 00:31:00 CST 2017 0 9634
ECC校驗原理以及在Nand Flash中的應用

本篇文章主要介紹ECC基本原理以及在Nand Flash中的應用,本文記錄自己對ECC校驗原理的理解和學習。 ECC介紹 ECC,全稱為Error Correcting Code,錯誤糾正碼,這是一種編碼方式,用於在於可以在一定程度上自行發現和糾正傳輸過程中發生的錯誤 ...

Tue Jan 06 23:45:00 CST 2015 0 3041
 
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