源:外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣 前幾天看到開源電子論壇(openedv.com)有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM一樣,不用自己去申請內存,也不用考慮什么內存地址,一切讓編譯器自己去解決。 廢話不多 ...
轉載自: 外部SRAM實驗,讓STM 的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣http: www.openedv.com thread .html 出處: OpenEdv 開源電子網 前幾天看到論壇有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM一樣,不用自己去申請內存,也不用考慮什么內存地址,一切讓編譯器自己去解決。 廢話不多說,我直接拿原子哥的戰艦開發板庫函數版的外部S ...
2017-03-21 15:07 0 2006 推薦指數:
源:外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣 前幾天看到開源電子論壇(openedv.com)有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM一樣,不用自己去申請內存,也不用考慮什么內存地址,一切讓編譯器自己去解決。 廢話不多 ...
近期項目中使用到了 IS64LV25616AL 的芯片,因此我要總結一下。IS64LV25616AL這個是256*16的的,數據格式是16位,所以一共有512KB的空間,比較大了,stm32F103zet6才64KB內部SRAM。可以使能byte enable,進行8位的訪問,只要設置好了后 ...
據說Flash的擦寫次數是有限的,所以在調試的時候擦來擦去不好,看到boot0、boot1可以配置從SRam啟動,就查了相關資料,試了一下,ok了。記錄一下,免得以后又忘了。跟flash調試部分相同的就不再描述了,重點在於SRam調試的設置部分,大部分以圖片形式 ...
在學習STM32的時候,由於燒FLASH的所造成的時間會比較慢,而在SRAM中調試的時間會比FLASH快很多,再加上FLASH的時候會經常擦除芯片,會對芯片的壽命造成一定的影響, 其實我本人覺得在學習STM32的路途中,沒有必要也大可不必使用燒FLASH的路徑來對芯片進行實驗性的學習 ...
這兩天調試STM32F103外擴SRAM,將調試過程中遇到的問題記錄下,SRAM的規格是256K*16的異步SRAM,地址總線為18,數據線寬度為16. 在調試過程中遇到一些小問題,希望讀者能少走些彎路。 先看一下FSMC內存映射圖: 由圖可知,stm32的FSMC模塊分為四個bank,每個 ...
最近將兩年前買的STM32F103最小系統板拿出來准備學習,安裝完MDK5后寫了一個點亮LED程序,發現無法下載。查了下購買評論,原來這種板子發貨時已經鎖定了flash。鼓搗了2、3天,最后采取的辦法是通過sram啟動方式,來運行一個flash解鎖程序,程序運行后就可以將板子恢復。在此將該 ...
字節控制功能。支持高/低字節控制。 看看實現 IS62WV51216 的訪問,需要對 FSMC進行哪些配置。 這里就做一個概括性的講解。步驟如下: 1)使能 FSMC 時鍾,並配置 FSMC ...
1. SPI總線簡介 SPI全稱串行外設接口,是一種高速,全雙工,同步的外設總線;它工作在主從方式,常規需要至少4根線才能夠正常工作。SPI作為基本的外設接口,在FLASH,EPPROM和一些數 ...