原文:NandFlash讀寫

.NandFlash分類 根據物理結構上的區別,NandFlash主要分為如下兩類: SLC Single Level Cell : 單層式存儲 MLC Multi Level Cell : 多層式存儲SLC在存儲格上只存一位數據,而MLC則存放兩位數據。 .MLC與SLC對比 價格:由於MLC采用了更高密度的存儲方式,因此同容量的MLC價格上遠低於SLC.訪問速度:SLC的訪問速度一般要比ML ...

2016-10-28 00:29 0 4249 推薦指數:

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(轉)Nandflash讀寫

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Tue Aug 21 02:32:00 CST 2018 0 1803
UBOOT把文件寫入 NandFlash

如果把一個傳到內存中的文件寫入到 Nand Flash 中, 如:新的 uboot.bin, zImage(內核), rootfs 等, 如果做呢?我們可以用 Nand Flash 命令來完成. 但是 ...

Sat Jun 29 17:01:00 CST 2019 0 407
uboot在nandflash和norflash是如何運行的

轉自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 電子產品如果沒有了電,就跟廢品沒什么區別,是電賦予了他們生命,然而程序則是他們的靈魂。 小時 ...

Mon May 30 06:18:00 CST 2016 0 7000
nandflash操作詳解

1.nandflash就是嵌入式系統的硬盤2.分類(1)MLC:存儲單元格存儲兩位,慢,偏移,壽命短,容量大(2)SLC:存儲一位。快,壽命長,容量小,昂貴3訪問;(1)獨立編址,有專用的控制器,控制器里有相應的寄存器,先送地址,然后命令,最后數據(2)地址組成:行地址(頁編號),列地址(在頁中 ...

Thu Mar 17 22:32:00 CST 2016 0 2928
NandFlash ECC 校驗

ECC的全稱是Error Checking and Correction,是一種用於Nand的差錯檢測和修正算法。如果操作時序和電路穩定性不存在問題的話,NAND Flash出錯的時候一般不會造成整個 ...

Wed Oct 21 02:09:00 CST 2015 0 2377
NorFlash和NandFlash區別

Flash編程原理都是只能將1寫為0,而不能將0寫成1.所以在Flash編程之前,必須將對應的塊擦除,而擦除的過程就是將所有位都寫為1的過程,塊內的所有字節變為0xFF.因此可以說,編程是將相應位寫0的過程,而擦除是將相應位寫1的過程,兩者的執行過程完全相反. (1)閃存芯片讀寫的基本單位 ...

Fri Jul 10 00:22:00 CST 2020 0 531
(轉+整理)Nandflash存儲

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Tue Aug 21 01:30:00 CST 2018 0 2548
NorFlash、NandFlash、eMMC比較區別

快閃存儲器(英語:Flash Memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲,以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據,如儲存 ...

Wed Nov 08 23:29:00 CST 2017 0 1731
 
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