1.nandflash就是嵌入式系統的硬盤
2.分類
（1）MLC：存儲單元格存儲兩位，慢，偏移，壽命短，容量大
（2）SLC：存儲一位。快，壽命長，容量小，昂貴
3訪問；
（1）獨立編址，有專用的控制器，控制器里有相應的寄存器，先送地址，然后命令，最后數據
（2）地址組成：行地址（頁編號），列地址（在頁中的偏移），一個nand可以有很多塊，每一塊可以很多頁，每一頁的兩個部分可以不同規格
（3）信號引腳：
4.初始化nand控制器，（搜索關鍵字operation）
（1）初始化NFCONF，配置三個重要的與HCLK有關的時間參數
（2）初始化NGCONT，一開始要disable chip select 以及使能控制器
（3）復位：選中nandflash，清除RB標志，發送0xff命令，等待RB信號，取消選中RB信號
5.按頁讀
（1）選中nandflash
（2）清除RB標志
（3）寫入0x00命令
（4）發送列地址，兩次（但是由於是頁讀的方式，所以列地址，即頁中的偏移量就是0）
（5）發送頁編號，即行地址，分三次完成
（6）發送0x30命令
（7）等待RB信號變為ready
（8）讀出數據，每次都取出數據寄存器的值，他會自動更新自己的值
（9）取消選中nandflash
6.修改之前的代碼拷貝啟動代碼（之前只從iram復制到內存）
（1）時鍾初始化有問題，錯把UPLL當MPLL
（2）匯編和C語言的參數傳遞，不超過4個的時候，直接用r0--r3傳遞，且順序和從函數的形參一致
（3）注意保存lr，否則連續兩次跳轉，會破壞lr，導致在執行完復制函數以后，不能返回到應執行的初始化后續代碼部分
（4）注意在調用c函數之前進行棧的初始化
7.拷貝函數的三個參數，頁的起始地址r0，（ulong，但是由於是頁讀方式，所以要去掉低11位，低11位是列地址，這里我們要去頁編號，即行地址），內存起始地址r1（目標起始地址，uchar*），數據大小r3，每一頁對應2048個字節（2K，視具體nandflash而言，每一個循環，大小減小2048）
8.一旦要去讀取（等待）RB信號，之前就要對其進行清除；
一旦有選中操作，在結束之后要取消選中。
9.寫入之前要擦除,參數是要擦除的頁地址，擦除的是指定的頁所在的塊：
（1）選中nandflash
（2）清除RB標志
（3）寫入0x60命令
（4）發送頁編號，即行地址，分三次完成
（5）發送0xD0命令
（6）等待RB信號變為ready
（7）發送命令0x70
（8）讀取擦出結果
（9）取消選中nandflash
（10）返回擦除結果
10.按頁寫
（1）選中nandflash
（2）清除RB標志
（3）寫入0x80命令
（4）發送列地址，兩次（但是由於是頁讀的方式，所以列地址，即頁中的偏移量就是0）
（5）發送頁編號，即行地址，分三次完成
（6）寫入數據，用循環
（7）發送0x10命令
（8）等待RB信號變為ready
（9）發送命令0x70，
（10）讀取寫入結果，從數據寄存器讀
（11）取消選中nandflash
（12）返回寫入結果