字節控制功能。支持高/低字節控制。 看看實現 IS62WV51216 的訪問,需要對 FSMC進行哪些配置。 這里就做一個概括性的講解。步驟如下: 1)使能 FSMC 時鍾,並配置 FSMC ...
這兩天調試STM F 外擴SRAM,將調試過程中遇到的問題記錄下,SRAM的規格是 K 的異步SRAM,地址總線為 ,數據線寬度為 . 在調試過程中遇到一些小問題,希望讀者能少走些彎路。 先看一下FSMC內存映射圖: 由圖可知,stm 的FSMC模塊分為四個bank,每個bank的大小事 M。 下面這張圖是FSMC各個塊的信號分配圖。 由上圖可知,bank NOR PSRAM可以分為 個子塊,由F ...
2013-12-20 00:31 2 7682 推薦指數:
字節控制功能。支持高/低字節控制。 看看實現 IS62WV51216 的訪問,需要對 FSMC進行哪些配置。 這里就做一個概括性的講解。步驟如下: 1)使能 FSMC 時鍾,並配置 FSMC ...
緊接上一篇,如果程序改來改去還是太大對不進STM32的內存怎么辦?只能用下載到flash然后調試了嗎?其實還可以下載到外擴的SRAM里,這樣就幾乎能搞定所有的普通程序了。唯一的缺點是在這種情況下,程序會跑得比較慢,whatever,能調試才是正道。 板子還是紅牛默認配置,這貨帶了 ...
本例演示用的軟硬件: 片內外設驅動庫:STM32CubeF41.24.1的HAL庫1.7.6,2019年4月12日 IDE:MDK-ARM 5.28.0.0,2019年5月 開發板:正點原子F407探索者,片外SRAM掛在FSMC_NORPSRAM3,16bit×219=1MiB ...
據說Flash的擦寫次數是有限的,所以在調試的時候擦來擦去不好,看到boot0、boot1可以配置從SRam啟動,就查了相關資料,試了一下,ok了。記錄一下,免得以后又忘了。跟flash調試部分相同的就不再描述了,重點在於SRam調試的設置部分,大部分以圖片形式 ...
在學習STM32的時候,由於燒FLASH的所造成的時間會比較慢,而在SRAM中調試的時間會比FLASH快很多,再加上FLASH的時候會經常擦除芯片,會對芯片的壽命造成一定的影響, 其實我本人覺得在學習STM32的路途中,沒有必要也大可不必使用燒FLASH的路徑來對芯片進行實驗性的學習 ...
轉載自: 外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣http://www.openedv.com/thread-47895-1-1.html(出處: OpenEdv-開源電子網) 前幾天看到論壇有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM ...
最近將兩年前買的STM32F103最小系統板拿出來准備學習,安裝完MDK5后寫了一個點亮LED程序,發現無法下載。查了下購買評論,原來這種板子發貨時已經鎖定了flash。鼓搗了2、3天,最后采取的辦法是通過sram啟動方式,來運行一個flash解鎖程序,程序運行后就可以將板子恢復。在此將該 ...
源:外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣 前幾天看到開源電子論壇(openedv.com)有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM一樣,不用自己去申請內存,也不用考慮什么內存地址,一切讓編譯器自己去解決。 廢話不多 ...