（一） 什么是FLASH存儲器?
FLASH屬於廣義的ROM，因為它也是帶電擦除的ROM。但是為了區別於一般的按字節為單位的擦寫的E2PROM，我們叫它FLASH。FLASH做的改進就是擦除時不再以字節為單位，而是以塊為單位。
FLASH分為Nor FLASH和NAND FLASH。NOR FLASH數據線和地址線分開，可以實現RAM一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦。
NAND FLASH同樣是按塊擦除，但是數據線和地址線復用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取（NAND FLASH按塊來擦除，按頁來讀，NOR FLASH沒有頁）。由於NAND FLASH引腳上復用，因此讀取速度比NORFLASH慢一點，但是擦除和寫入速度比NORFLASH快很多。NAND FLASH內部電路更簡單，因此數據密度大，體積小，成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND型的。小容量的2~12M的FLASH多是NOR型的。
NORFLASH可以進行字節尋址，所以程序可以在NOR FLASH中運行。嵌入式系統多用一個小容量的NOR FLASH存儲引導代碼，用一個大容量的NAND FLASH存放文件系統和內核。
（二）Flash中頁、扇區、塊是什么意思？有什么區別？
Flash是用於存儲數據的存儲器，但很多人看到頁(Page)、扇區(Sector)、塊(Block)等這些單位時總是分不清楚到底是什么含義，下面就來詳細講解一下！
下面以W25Q128芯片為例，先看下面這段話：
W25Q128存儲芯片是由65536可編程的頁組成的，每頁有256個字節。一次最多可以寫256個字節。可以一次擦除16頁（4K字節）、128頁（32K字節）、256頁(64K字節)或者一整片。W25Q128有4096個可擦除的扇區，256個可擦除的塊。4K字節的扇區對於數據和參數存儲有更高的靈活性。
如果不理解的話，先看完下面的內容之后，再回過頭來看就會理解了。
5.1下面是芯片的內部框圖：
5.2：頁是什么意思？
頁就是flash中一種區域划分的單元，就像一本書中的一頁一樣，圖中紅色框選部分就為1頁。
一頁內存地址為 ：0X000000-0X0000FFh,共256個字節（16x16=256）。
不同存儲器的頁大小是不同的。
5.3: 扇區
扇區和頁類似，也是一種存儲結構單元，只是扇區更常見，大部分Flash主要還是以扇區為最小的單元。圖中粉紅色部分為一個扇區的大小。我們從sector 0 ，也就是扇區0 開始分析（粉紅色框下下面的扇區）。我們看到：
一個扇區是從 0x000000-----0x0000FF
0x000100-----0x0001FF
0x000200-----0x0002FF
0x000300-----0x0003FF
......
0x000f00----0x000FFF 為止 ===========16*256=4096字節=4K
一個扇區有16個頁，又因為每一個頁有256字節，所以一個扇區有4k字節。
5.3塊
塊是比扇區更高一個等級，一般1塊包含多個扇區也就是圖中藍色標識的區域。我們看到：
一塊的是從 0x000000-0x000FFF
0x001000-0x001FFF
0x002000-0x002FFF
0x003000-0x003FFF
.......
0x00F000-0x00FFFF為止= ====================4K*16=64K
可以看出，一個塊有16個扇區組成。
而一個芯片內部存儲區域是綠色部分所畫的，有256個塊，所以W25Q128總共的存儲空間為256個塊。即一個FLASH為256個塊，一個塊為16個扇區，一個扇區為4K字節。所以：256*16*4K=16384K=16M/8=128Mbit。
5.4包含關系圖：
（三）使用FLASH 時候，必須知道的事。
1、由於FLASH的物理特性，決定了FLASH每一位的操作只能從1變為0（寫操作）。
2、大多數FLASH芯片或單片機內未使用FLASH存儲空間每一位出廠默認都是1。
3、對FLASH寫操作之前必須將待操作FLASH空間數據都置為1。
如果內存地址上的數據是0的話，不進行置1的擦除動作，當我們想內存地址寫1時候是失敗的，因為內存只能從1變為0，不能從0變為1。所以必須在寫操作之前將flash擦除。
4、對FLASH的擦除操作即是把待操作的空間的每一位都置為1。
5、所以FLASH寫操作前需有擦除操作。
W25Q128JV存儲芯片的擦除比較靈活，可以按扇區、塊甚至是整片擦除。（擦除是需要時間的，比如整片擦除約用時幾十秒）。