1 湊電阻
2 專用芯片 比如π220N31
3 oc/od+mos管
電路功能：
實現I2C雙向總線系統中3.3V與5V電平的雙向轉換，且不需要方向選擇信號，而且還能將掉電的總線部分和剩下的總線系統隔離開來，保護低壓器件防止高壓器件的高電壓毛刺。 在電平轉換器的操作中要考慮下面的三種狀態：
1、沒有器件下拉總線線路。
低電壓部分的總線線路通過上拉電阻Rp 上拉至VDD1（3.3V） MOS-FET 管的門極和源極都是VDD1（3.3V）, 所以它的VGS 低於閥值電壓MOS-FET 管不導通這就允許高電壓部分的總線線路通過它的上拉電阻Rp 拉到5V。 此時兩部分的總線線路都是高電平只是電壓電平不同。
2、一個3.3V 器件下拉總線線路到低電平。
MOS-FET 管的源極也變成低電平而門極是VDD1（3.3V）。VGS高於閥值，MOS-FET 管開始導通然后高電壓部分的總線線路通過導通的MOS-FET管被VDD1（3.3V）器件下拉到低電平，此時兩部分的總線線路都是低電平而且電壓電平相\。
3、一個5V 的器件下拉總線線路到低電平。
MOS-FET 管的漏極基底、二極管低電壓部分被下拉，直到VGS 超過閥值，MOS-FET 管開始導通，低電壓部分的總線線路通過導通的MOS-FET管被5V 的器件進一步下拉到低電平，此時兩部分的總線線路都是低電平而且電壓電平相同。
這三種狀態顯示了邏輯電平在總線系統的兩個方向上傳輸，與驅動的部分無關。狀態1 執行了電平轉換功能，狀態2和3按照I2C總線規范的要求在兩部分的總線線路之間實現“線與”的功能。
電路工作過程：
除了VDD1 (3.3V) 和VDD2 (5.0V)的電源電壓外,還可以是例如2V VDD1 和10V VDD2 等的正常操作。
值得注意的是:
1 VDD2必須等於或高於VDD1 (否則mos管也無法導通)。
2 一定要注意mos管的開啟電壓Vgs的范圍，要保證VDD1 > Vgs(max)
找兩個mos管做說明（隨便找的 ）
mos1:H6968S
mos2:si4430
mos1的Vgs范圍0.6V~1.6V,這種mos管可以用到1.8V 2.5V 轉其他電平
mos2的Vgs范圍1.0V~3.0V，這種mos管可以用到3.3V 轉其他電平。但是用到1.8V 或者 2.5V，不能很完全的被打開，導致到VDD2 (3.0V)方面的信號不能徹底為低，出現半高狀態。
實際應用電路：
