l SLC (Single Level Cell)，單層式存儲單元，每個存儲單元(cell)只存1bit數據：0或1
l MLC (Multi Level Cell)，多層式存儲單元，每個存儲單元(cell)可存2bit數據：00,01,10,11
l TLC (Triple Level Cell)，三層式存儲單元，每個存儲單元(cell)可存3bit數據: 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110 和111。
l 每個單元(cell)中包括被稱為NAND電路小型晶體管樣成分。每個NAND電路傳統上可以存儲1位數據，一個“1”或“0”。新一代固態硬盤驅動器使用一種特殊的技術在一個cell中存儲更多的信息。
l 在MLC中，1個cell能夠存儲2位數據；TLC中，1個cell可以存儲3位數據。兩位的信息表示可以存儲4種不同的數據模式：00，01，10和11。TLC的cell可以存儲3比特數據，則可以存儲8種不同的數據模式。
l 3種不同的類型的cell，雖然存儲的數據量不同，但是其物理大小卻是相同的，這也是SSD的容量不斷增大的一個原因。最初的SSD只有64GB或更小，而現在最大TLC型的SSD盤可以存儲多達2TB的數據。
l 不過，不同類型的SSD盤的抗磨損的能力不同，導致硬盤的可靠性不同。SSD盤的抗磨損能力也是選擇SSD盤的一個重要參數。