VLSI的期末考試是出了名的難的，網上也找不到之前的試題，分享一下21年考試的題目，有助於大家體會一下考核的難度，督促大家努力復習。另外附上自己的復習筆記，方便大家參考：
超大規模集成電路與系統設計 國科大 段成華 - -不負- - 博客園 (cnblogs.com)
全英文試卷，不過不用擔心看不懂，都是很基礎的英語，如果復習的程度還不足以讓你看懂題目，那你也不用去考試了。（沒必要每個單詞都懂，掃一眼給出的圖就應該知道要考什么，也可以問老師題目意思，不過老師肯定不會告訴你解題方法的）
試卷分為兩個部分，第一個部分是十個概念題，每個兩分，拿滿分幾乎不可能，老師是按細節給小分的，所以盡可能多寫。第二部分是計算和程序編寫，主要考理解。
一、概念
物理綜合、等效門、電氣努力、抽象層次、噪聲裕量
強反型層、亞穩定性、設計實體、時間隊列（事件）、多米諾邏輯
二、簡答題
描述Y形圖，主要使用抽象層次、描述域等方面進行描述
說明BSIM3*3的短溝道仿真模型，主要使用短溝道的二階效應描述
三、計算題
（1）根據S（每十倍電流降對應的閾值電壓降幅）、閾值電壓、電流，通過改變閾值電壓，求一百萬個門的功耗的改變
（2）根據給出的特定W和L的比組成的反相器、與非門、或非門，求他們三個的邏輯努力
四、1、給出W和L及Y寫一段HSPICE的nmos的定義程序（求AD、PD、AS、PS），2、給出一段HSPICE程序畫對應的電路圖、3、畫對應的電流曲線
五、1、計算傳輸門鏈的整體延遲，並指出延時和級數的二次方成正比；2、優化該延時，並計算傳播延時，指出優化后的延時和級數的一次方成正比（使用反相器）
六、1、用多路開關實現Y=/AB+AB+C的邏輯電路；2、用查找表實現Y=/AB+AB+C的邏輯電路
七、給出一個有三個寄存器、兩個數據輸入、一個時鍾、三個輸出的較復雜的電路的一些特征參數，求tPD、tCO 、tSU、tCYC、fSYS
八、給出單個寫，陣發讀的存儲控制器的狀態圖，要求1、寫出哪個狀態的狀態轉換電路最復雜，說明原因；2、有限狀態機的電路圖類似於一個移位寄存器，畫出和移位寄存器類似的結構的電路；3、用VHDL編寫這個存儲控制器；4、給出OE、OW對應的真值表要求畫出這兩個信號的電路圖
