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與其他二極管相比，肖特基二極管MBR10200FCT有什么特別之處？
MBR10200FCT參數描述
型號：MBR10200FCT
封裝：TO-220
特性：肖特基二極管
電性參數：10A，200V
正向電流(Io)：10A
正向電壓(VF)：0.9V
芯片尺寸：86MIL
浪涌電流Ifsm：150A
漏電流(Ir)：10UA
工作溫度：-65~+175℃
恢復時間(Trr)：<5nS
引線數量：3
肖特基二極管MBR10200FCT不是利用P型半導體和N型半導體之間形成PN結的原理制成的，而是利用金屬和半導體接觸形成金屬-半導體結的原理制成的。因此，MBR10200FCT也被稱為金屬半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，是一種熱載流子二極管。
典型的肖特基整流器MBR10200FCT的內部電路結構是基於N型半導體，在其上形成以砷為摻雜劑的N型外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻擋層。使用二氧化硅消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓。N型基片導通電阻小，摻雜濃度比H層高100%。在基板下方形成N+陰極層，其作用是降低陰極的接觸電阻。
通過調整MBR10200FCT結構參數，在N型襯底與陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當MBR10200FCT肖特基勢壘兩端（陽極金屬接電源正極，N型襯底接電源負極）施加正向偏壓時，肖特基勢壘層變窄，內阻變小；相反，如果在MBR10200FCT肖特基勢壘的兩端施加反向偏壓，則肖特基勢壘層變寬，其內阻變大。
肖特基整流管MBR10200FCT僅使用一種載流子（電子）來傳輸電荷，在勢壘外沒有多余的少數載流子的積累。因此，不存在電荷存儲問題（Qrr→0），開關特性明顯提升。
MBR10200FCT反向恢復時間已縮短至10ns以下。因此，適合在低電壓大電流條件下工作。利用其低壓降特性，可以提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率。