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NANDFLASH與eMMC的區別

NANDFLASH與eMMC的區別為:來源不同、用途不同、讀取不同。

一、來源不同

1、NANDFLASH:NANDFLASH是東芝在1989年的國際固態電路研討會(ISSCC)上發表的。

2、eMMC:eMMC為MMC協會所訂立的。

二、用途不同

1、NANDFLASH:NANDFLASH適合用於儲存卡之類的大量存儲設備。

2、eMMC:eMMC主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標准規格。

三、讀取不同

1、NANDFLASH:NANDFLASHI/O接口並沒有隨機存取外部地址總線,它必須以區塊性的方式進行讀取。

2、eMMC:eMMC在封裝中集成了一個控制器,提供標准接口進行讀取並管理閃存。


 

 

NAND Flash的存儲單元分為SLC(Single Layer Cell)、MLC (Multi-Layer Cell)以及TLC(Triple Layer Cell),目前,SLC已經淡出主流市場,主流存儲單元正在從MLC向TLC邁進。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統一的MMC標准接口,自身集成MMC Controller,存儲單元與NANDFLASH相同。針對Flash的特性,eMMC產品內部已經包含了Flash管理技術,包括錯誤探測和糾正,Flash平均擦寫,壞塊管理,掉電保護等技術。
但當前NAND Flash在嵌入式產品中應用仍然極為廣泛,因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴NAND Flash使用廠家通軟件進行完善。
在ARM核心板、ARM開發板、ARM工控板領域,M3352核心板、M283核心板、M287核心板、M3517核心板、EPC-8000工控主板、EPC-9600、EPC-9200、EPC-9100工控主板等產品,針對NandFlash有着完善的壞塊管理、掉電保護等措施,例如分別在wince 與linux系統下加固flash驅動、對操作系統進行雙備份以及對flash進行10萬次掉電測試等。


 

今天跟大家聊聊eMMC與NAND Flash有什么區別和聯系。

首先我們要認識Flash,Flash分為兩種規格:NOR Flash和NAND Flash,兩者均為非易失性閃存模塊。上個世紀八十年代,日本發表了NAND Flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,並且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。因為NAND Flash的晶片容量相對於NOR大,更像硬盤,寫入與清除資料的速度遠快於NOR,所以當時多應用在小型機以儲存資料為主。目前已廣泛應用在各種存儲設備上,可存儲代碼和資料。

 NAND Flash的存儲單元從最初的SLC, 到2003年開始興起MLC,發展至今,SLC已經淡出主流市場,主流存儲單元正在從MLC向TLC邁進。納米制程工藝和存儲單元的發展,使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲單元,Flash得以在容量迅速增加的同時,還大幅降低了單位存儲容量的成本。

然而NAND Flash 隨着納米制程和存儲技術的主流趨勢發展,性能卻在不斷下降。可擦寫壽命短,出錯概率高,讀寫速度慢,穩定性差。嵌入式存儲芯片eMMC就可以彌補這個市場需求和NAND Flash發展的缺口。

而eMMC和Nand flash 之間的區別,主要是:在組成結構上,eMMC存儲芯片簡化了存儲器的設計,將NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技術封裝在一起,省去零組件耗用電路板的面積,同時也讓手機廠商或是計算機廠商在設計新產品時的便利性大大提高。而NAND Flash僅僅只是一塊存儲設備,若要進行數據傳輸的話,只能通過主機端的控制器來進行操作,兩者的結構圖如下:

 

從閃存的發展歷史看,eMMC與NAND Flash有什么區別與聯系?

 

在功能上:eMMC則在其內部集成了 Flash Controller,包括了協議、擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗、電源管理、時鍾管理、數據存取等功能。相比於直接將NAND Flash接入到Host 端,eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性,可以減少 Host 端軟件的復雜度,讓 Host 端專注於上層業務,省去對 NAND Flash 進行特殊的處理。同時,eMMC通過使用Cache、Memory Array 等技術,在讀寫性能上也比 NAND Flash要好很多。

宏旺半導體總結一下:NAND Flash 是一種存儲介質,要在上面讀寫數據,外部要加主控和電路設計;eMMC是NAND flash+主控IC ,對外的接口協議與SD、TF卡類似;對廠家而言簡化了電路設計,降低了成本。

 

從閃存的發展歷史看,eMMC與NAND Flash有什么區別與聯系?

 

使用emmc的好處是,除了得到大容量的空間(這一點,只用NAND FLASH多堆疊也可以做到),還有就是emmc可以管理NAND (壞塊處理,ECC)等。宏旺半導體推出的eMMC支持命令行序列,能夠大幅度提升閃存的性能表現,另外還支持安全寫保護功能,可提升安全性,容量從8GB到128GB不等,封裝尺寸為11.5*13mm,在不久的將來,宏旺半導體將推出更多高品質高性能的存儲產品。

 


 

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手里有一個斐訊的N1盒子,裝了10多個APP,有幾個集合類電影的,需要緩存到本地才能看,比如人人影視這類的,8G的空間只剩下2G多些,經常提示緩存已滿,於是想改造下,擴容!
收集了資料,大致的思路是,拆下原閃存→焊到安國的主控U盤板上(做讀卡器)→讀取全盤數據做備份→寫入新的emmc上→新的emmc焊回到n1上→通電,雙清思路很簡單,但是......事情往往沒那么順利,咱們還是看圖說話吧
先拆機,最后一次全家福。。。

拆emmc

好了到目前為止一切順利
植錫,焊到安國主控的U盤板子上


植錫的過程可以說問題不少,而且卡在這一步,最后也沒成功
因為新買的植錫板,新手未掌握要領,芯片掉了好幾處焊點,並且嚴重變形報廢了,
我簡單的總結了下沒成功的原因,1.錫膏塗抹的時候未壓實 2.錫膏應該晾晾,太稀3.熱風槍溫度太高(350),錫膏沸騰焊糊了
4.自己太自信了,沒練就直接上手
這個就是那個被我反復蹂躪的8gemmc,報廢了

沒有備份,怎么辦,難道要成屍體???
網上瘋狂的找備份,結果一無所獲
最后聯系到了一個牛人----小韓
給了我一個n1的boot的備份文件,
再他的幫助下,重新整理了下思路。
新的32gemmc中寫入boot,然后連接ttl,按n1救磚教程,
刷入固件。
用這個軟件寫入


寫的有點慢,耐心等待。。。

寫好了

對比下,別刷錯了。。。。

ok,可以焊到n1了,這次吸取上了上次的教訓,一次植錫成功
焊上ttl線

連接ttl通電,激動的時刻來了

可以了。。。
電腦上打開USB_Burning_Tool工具
選好刷入的固件,去掉擦除flash和擦除bl,並連接好usb,
短接好刷機救磚的那兩個點(此處可參照網上n1救磚教程)

接上電,然后狂按Ctrl+C就進入了命令行,輸入命令update
成功刷機


可是還是8g,不急這里需要雙清或是格式化用戶分區
我直接格式化分區了


沒啥技術含量,別人也發過,在這里我是記錄下我的過程,並感謝幫助過我的--小韓


 


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