隨着對器件的控制需求提升，越來越多的電源開關電路出現在設計中。這些設計的目的各有不同：有的需要快速開通與關斷，有的需要低導通電阻+大電流，有的需要閑時0功耗。雖然應用場合不同，但這都是MOS適用的強項。下面來介紹幾種產品設計中常用的MOS做電源開關的電路。
1、NMOS做電源開關（低端驅動，最簡單）
由於NMOS和PMOS在原理和生產工藝上存在差異，導致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導通內阻這些參數上均優於PMOS，所以設計中盡量優先選擇NMOS。
下圖為使用NMOS，最簡單的開關電路。（低端驅動）
CONTROL為控制信號，電平一般為3~12V。負載一端接電源正極，另一端接NMOS的D（漏極）。
CONTROL電平為高時，Vgs>NMOS的Vgs導通閥值，MOS導通，負載工作。
CONTROL電平為低時，Vgs=0，MOS關斷，負載停機。
1.1、設計時注意事項
1.1.1、泄放電阻 R1
上面這個電路中，通常都會在NMOS的G極、S極間，並聯一個10K左右的電阻。這個電阻通常被叫做泄放電阻，用來泄放GS極間的電荷。加它的原因是因為MOS的GS極間的阻值非常高，通常為M歐以上，並且GS間還有結電容，這就導致GS一旦充電，就很難釋放掉。如果沒有這個泄放電阻，在G極通入高電平，負載會工作，而將G極上的控制信號拿開，由於結電容的存在，GS間的電壓會維持在導通閥值以上很長一段時間，負載仍會繼續工作。而加了泄放電阻，會加快泄放速度，使電路功能更加合理易用。
1.1.2、Vgs電壓范圍
通常來講，TO-220、TO-251AA、SOP-8、SO-8（DFN3x3）、TO-252、TO-363 這些封裝比較大的器件，通常額定耐壓、額定電流都比較大，Vgs的最大允許范圍一般為± 20V。
由於Vgs的驅動電壓越高，MOS的導通電阻就越小，導通速度也越快，所以像電機控制一般多使用12V作為驅動電壓。
SOT-23封裝的Vgs最大范圍一般為± 12V。
切莫使Vgs超出手冊規定的范圍，會導致MOS損壞。
下圖為 IRLR7843 - NMOS 的部分數據手冊。
1.1.3、寄生結電容 | 驅動電流 | 柵極驅動器
MOS的GS極間的寄生結電容大小，影響了開斷速度。越小開斷越快，響應越迅速。選型時，應盡量選擇小的，可以有更快的開斷速度。
因為MOS的GS極為容性，高頻驅動時需要很大的驅動電流。這時就不能使用MCU的IO口直接驅動了，需要使用專用的MOS柵極驅動IC。NMOS的低端驅動IC很簡單，內部大多為一個半橋。市面上使用更多的驅動IC為高側+低側柵極驅動IC，而單單低側的柵極驅動由於較為簡單，搞個NP對管就能實現相近的效果，即使芯片有很多選擇，也並不常用。
下圖為，TI官網的柵極驅動器選型表。
2、NMOS做電源開關（高端驅動，穩定，性能好）
上面的用法，是用NMOS將元件的GND浮空，並通過開通GND實現電路負載的開關。
一般的電路這樣用可能沒什么問題，但有的就不行了，例如需要低側電流采樣的電機驅動電路。
NMOS的高端柵極驅動，大體分為兩種。
一種是帶電荷泵的。可允許高側NMOS的持續開通。性能穩定，但成本略高。
另一種是通過電容浮柵自舉。需要輸入信號為PWM脈沖，通常只允許99%占空比輸入，以在空閑時間給自舉電容充電。這種應用需要限制PWM信號的占空比。
其中應用較多的是電容浮柵自舉，且類型大多為高側+低側柵極驅動IC，或者叫MOS半橋柵極驅動IC。其內部集成了死區控制器，以防止半橋上下管同時開通，造成短路MOS過流損壞，俗稱炸管。常用型號如 IR2101、IR2104、IR2110、IR2130，市面上的大多數柵極驅動IC多以這幾款IC為仿照藍本。
隨着電機控制對FOC需求的激增，同時也促使了MOS柵極驅動器的集成度提高，諸如DRV8301、DRV8305 這些集成了三相半橋柵極驅動、DCDC降壓、多路增益可編程的差分放大器的驅動器，被越來越多的應用到產品上。並且還克服了最大占空比輸入為99%的缺點，使用涓流充電電路來補償自舉電容泄漏的電流，以支持 100%占空比運行。
TI的高側驅動器型號，可在 電源管理 - 電源開關 - 高側開關 下尋找。
3、PMOS做電源開關（高端驅動，穩定，簡單）
NMOS做高端開關雖然比較好，但由於需要增加額外的柵極驅動IC，會使電路變得復雜，成本也會提升。不過除了電機控制的場合，一般對開通速度、導通內阻、過電流能力 無細致需求的話，PMOS無疑是做開關的較好選擇。
下圖是PMOS做高端開關的電路，CONTROL為控制信號，電平為0~VCC。
CONTROL為0V時，Vgs<導通閥值，PMOS開通，負載工作。
CONTROL為VCC時，Vgs>導通閥值，PMOS關斷，負載停機。
注意上圖這里的輸入信號 CONTROL，其電平要保證Vgs能使PMOS開通；又要在拉低時，限制Vgs不能小於最小允許電壓，避免PMOS損壞。
但MCU或其他控制器的電平一般為固定的3.3V / 5V，而VCC卻要在一個很大的范圍內變動。這就導致如果使用I/O口直接驅動的話，PMOS不能關斷，並且當VCC較大時，還會損壞MCU的I/O口。
所以PMOS做高端開關時，一般搭配一個小電流的NMOS或者NPN管，來做驅動電平轉換。
如下圖，NMOS - Q3負責做電平轉換，來驅動Q2 - PMOS的開關。
當 CONTROL 為0時，Q3關斷，Q2的G極電平被拉高為VCC，Q2 - PMOS關斷，負載停機。
當CONTROL 為1，Q3開通，Q2的G極電平被拉低為0，Q2 Vgs<導通閥值，PMOS開通，負載工作。
隨之而來新的問題：如果VCC電壓很高，在PMOS開通時，導致Vgs超出了手冊中的Vgs允許范圍，也會造成PMOS的損壞。
為了避免損壞PMOS的柵極，在上面的電路中，添加一個穩壓管和電阻，來達到鉗位的作用，使Vgs最小不低於-12V，以保護Q2的柵極。（見下圖）
特別注意：VCC電壓較高時，需要重新計算各電阻的熱功耗，來確定合適的封裝，或者更改阻值。
PMOS做低端開關的實例實在是少之又少，並且PMOS做低端開關確實沒什么好處，電路復雜且參數較差，不如直接用NMOS，在此不做介紹。
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