在功率變換器中,整流二極管的Qrr值。對效率的影響較大。下面對Qrr造成的影響分析如下,歡迎大家多多指導。
1、反向恢復電流與反向恢復電荷
1.1現象
當二極管從正偏到反偏時,二極管電流不會立即截止。會產生一個反向恢復電流。
2、產生的損耗
2.1 該電荷在MOSFET內部釋放
MOSFET的內部二極管的反向恢復電荷,在MOSFET導通的時候,二極管的反向恢復電荷,在MOSFET的Ron上產生損耗。
2.2 該電荷導致高端MOSFET產生損耗
以經典的Buck電路為例:
當高邊MOSFET導通時,MOSFET的體二極管再次發生反向偏置。
反向恢復電流Irr會短暫流經高邊MOSFET,直到積累的電荷Qrr完全耗盡。
電荷耗盡不是瞬間完成的,Irr通常會流動幾十納秒,直到Qrr耗盡。
下圖為Buck電路,MOSFET導通,二極管截止時,反向恢復電流與輸入電流相疊加。
在Ron產生的損耗也相應增大。
3、產生的電壓尖峰
反向恢復電流與PCB的寄生電感,將會產生電壓尖峰。進一步造成柵極電壓擾動。
嚴重時,會造成MOSFET誤導通。
Vpeak = Ls * dirr / dt
以上就是二極管反向恢復電荷,可能造成的影響。最后,以一張仿真圖說明上述分析。
仿真目的:使用spice模型仿真Qrr與兩倍Qrr的MOSFET的尖峰電壓。