1.雙脈沖測試原理
很多博主已經發布了大量有關雙脈沖測試的意義、雙脈沖測試原理等，顧在此不在贅訴，如有需要的小伙伴可以點這里。以下重點介紹在LTspice中雙脈沖電路的搭建及可能遇到的問題。
2.搭建雙脈沖測試
圖1 雙面測試電路圖
此次仿真中選擇CREE公司器件，其中MOSFET型號為：CPM2-1200-0080B（SiC）,二極管型號為：CPW41200S010B（SiC）。
在電路圖中共有三個電壓測試點分別是：out-1，out-2，out-3。
U1（SiC MOSFET）柵極加-15V電壓保證此管處於關斷狀態。
電壓源 v4、v5（25V）為 U1、 U2（SiC MOSFET）提供25℃的結溫。（根據實際需要，大家可以設置不同的電壓值，來測試不同結溫度下管子的情況）
根據原理可知U2(下MOSFET) 源極電流IC在雙脈沖測試中最大電流Imax =(Udc / L1 )* ( t1 + t3 ) = (1200V / 50µH)* 2µS 。
根據實驗經驗：t1: t2 : t3 = 10 : 1 :（2~5）例如:額定電流為120A的模塊，時間一般設定為12ns / 1ns / 2ns
在本次仿真中，門極電阻設置為20Ω（小伙伴們可以自行調試，一般初始值設為10Ω）。
3. 波形圖
（1）脈沖信號
圖2 雙脈沖波形
圖2是電壓源V2產生的脈沖波形（測試點為out-1），其幅值為15V， 占空比50%，周期為2µs。
（2）柵極信號
圖3 門極波形
圖3 是開關器件U2門極信號波形，通過測試點out-2測試。
（3）Vde
圖4 漏源電壓波形
圖4 是開關器件U2漏源電壓波形，通過測試點out-3測試。
（4）Ic
圖5 源極電流波形
（5）匯總（方便大家對比分析）
圖6 對比分析
4.可能出現的問題
（1）電壓源V3、負載電感L1、開關頻率數值的設定
電壓源V3的值一般根據datesheet給定值設定，有時在仿SiC MOFET 電壓等級為1.2kV時，V3的值設定為540V。
L1負載電感一般情況下設定為50 µH。參考電感值: 50 µH ~ 200 µH
開關頻率，可以根據開關器件、二極管datesheet額定電流來確定 I = （V3 / L1）* T（占空比為50%時，脈沖周期）
/*通過合理的設置這3個參數，確定Ic電流*/ （划重點）
電阻阻值初始設定為10Ω，調試幅度 0 Ω- 100Ω
/*在仿真過程中調整門極電阻R1的值可以強烈地影響該過程，可以影響Vge電壓波形，Ic電流波形，Vde電壓波形*/ （划重點）
由於作者水平有限，難免存在錯漏之處，敬請廣大讀者批評指教。