存儲器分為兩大類：RAM(Random Access Memory，任意地址訪問儲存器)和ROM(Read-Only Memory，只讀儲存器)。
發展歷史
ROM
Read-Only Memory，只讀儲存器。
微機的發展初期，BIOS都存在在ROM中。ROM的資料都是原產用特殊方法燒錄進去的。其中的內容只能讀不能改。
PROM
Programmable Read-Only Memory，也稱為：One-Time Programmable (OTP)ROM，一次性可編程只讀儲存器。
跟ROM一樣，也是只能讀不能改，但跟ROM區別在於：用戶可以用專用的編程器將自己的資料燒錄，但機會只有一次（One-Time）
EPROM
Electrical Programmable Read Only Memory，可擦除可程式只讀存儲器。
類似於PROM，不同的是：EPROM燒寫次數增加了，但燒寫的條件相比PROM較為苛刻。
是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常見電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦變成完成后，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。
識別EPROM，可以通過封裝頂部的硅片的透明窗口。這個窗口是用來擦除紫外線。可以將EPROM的玻璃窗對准陽光直射一段時間就可以擦除。完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往芯片中寫內容時必須要加一定的編程電壓。
EPROM的型號是以27開頭的。
EPROM芯片在寫入資料后，還要用不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料被擦除。
EPROM芯片在空白狀態時，內部的每一個存儲單元的數據都為1，即高電平。
EEPROM
Electrically Erasable Programmable read only memory，帶電可擦可編程只讀存儲器。
因為EPROM操作的不便，后來出的主板BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM。
跟EPROM的區別主要在於擦除不需要借助其他設備，寫入資料也是。
用電子信號來修改其內容。
EEPROM的擦除不需要借助於其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM 的Eraser和編程器的束縛。
因此目前的EEPROM都是幾十千字節到幾百千字節的，很少有超過512K的。
EEPROM在寫入數據時，仍要利用一定的編程電壓，此時，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內容，所以，它屬於雙電壓芯片。
FLASH
flash屬於廣義的EEPROM(全稱是FLASH EEPROM)，因為它也是電擦除的rom。但是為了區別於一般的按字節為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
flash做的改進就是擦除時不再以字節為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，數據密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
flash分為nor flash和nand flash。
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nor flash數據線和地址線分開，可以實現ram一樣的任意尋址功能，可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦。
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nand flash同樣是按塊擦除，但是數據線和地址線復用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀；norflash沒有頁的概念）
因為nor flash可以進行字節尋址，所以程序可以在nor flash中運行。
由於nandflash引腳上復用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內部電路更簡單，因此數據密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
寫flash時為什么需要先擦除？
Flash 的編程原理都是只能將 1 寫為 0，而不能將 0 寫為 1。所以在 Flash 編程之前，必須將對應的塊擦除，而擦除的過程就是把所有位都寫為 1 的過程，塊內的所有字節變為 0xFF。
總結
FLASH和EEPROM的最大區別是：FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作 （二者尋址方式不同）。
一般來說：
- EEPROM中存放開機是用到的參數，不可丟失的變量等
- 而FLASH中會存放程序，記錄文件等。
FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，
EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。