一、前言
調試的電路板為瑞薩F1KM系列，使用的FCL庫版本為2.13，應用說明手冊為R01US0078ED0213，手冊和庫都可以在官網下載到。
好，進入正題。
使用CS+版本時參考庫提供的CC-RH_200文件夾 ，此文件夾下的FCL文件夾為源碼文件，在調試時，添加此文件夾下所有文件，此文件夾下的文件都不要進行更改。
其中RH850-D1M1A、RH850-D1x、RH850-F1H、RH850-F1x、RH850-F1K文件下的文件為參考代碼文件夾，根據芯片型號選擇參考代碼，進行調試。
根據F1KM系列我們選擇F1K系列。在不了解具體流程前還是要按照參考代碼進行調試，否則真有坑啊，由於之前理解擦寫動作函數可以不在RAM中運行，導致調試時頻繁出錯，
不清楚問題出現哪里，后來理解了參考代碼擦除操作是在RAM中的進行的，這個坑才跳出來。由於調試過程中遇到很多問題，在這里總結一下注意事項及相關操作方法。
二、工程的配置
2.1.在工程文件Section中添加FCL庫所需要的段
2.1.1 ROM中添加
R_FCL_CODE_ROM.text
R_FCL_CONST.const
R_FCL_CODE_USRINT.text
R_FCL_CODE_USR.text
R_FCL_CODE_RAM.text
R_FCL_CODE_ROMRAM.text
R_FCL_CODE_RAM_EX_PROT.text
2.1.2 RAM中添加
R_FCL_DATA.bss
FCL_RESERVED.bss
關於FCL_RESERVED.bss段
由於此段的內定義的數據大小為宏FCL_RAM_EXECUTION_AREA_SIZE 為0x8000，共32K，占用了整個Local RAM大小，
由於在調試時Retention RAM中的變量在CS+ 中不正常，所以將FCL_RESERVED.bss段定義在Retention 段內，保證了調試程序時，變量的正常使用。
關於FCL_RAM_EXECUTION_AREA_SIZE 宏定義的大小應該可是進行修改的，在調試成功后，將宏定義改為了0x6000，擦寫操作也能正常進行，但為了
保險起見，我們還是不要進行修改了，以防后面埋了個坑，反正定義也是在Retention RAM段，不影響正常變量的定義。
三、文件的修改
3.1 fcl_descriptor.h
根據上面FCL_RESERVED.bss段定義的Retention RAM起始地址，修改fcl_descriptor.h文件中的宏定義FCL_RAM_ADDRESS。
根據實際設置時鍾大小進行FCL_CPU_FREQUENCY_MHZ的修改，
FCL_AUTHENTICATION_ID為安全ID，如果不使用，不需要進行修改。
3.2 關於boot.sam的修改
此定義為清零 RAM范圍定義，將set后設置為芯片RAM正常地址
GLOBAL_RAM_ADDR
GLOBAL_RAM_END
LOCAL_RAM_ADDR
LOCAL_RAM_END
四、初始化過程
4.1 調用R_FCL_Init (&sampleApp_fclConfig_enu)函數
4.2 調用R_FCL_CopySections();函數
4.3 在內存中運行以下兩個函數
FCLUser_Open ();
DRV_CodeFlashEnvInit();
兩個函數。參考庫提供的參考main.c的 方法為
fpFct = ( uint32_t (*)() )R_FCL_CalcFctAddr ( (uint32_t)(&FCL_Ctrl) );
fpFct ();
此處一定注意運行是在RAM中進行的，此處有坑，我就跳里了，不要直接運行FCL_Ctrl ()函數哦！！！
五、注意事項
調試成功后可以參考fcl_ctrl.c的例程，編寫自己的接口程序了，新編寫文件時，注意在源文件頭添加#pragma section text "R_FCL_CODE_USR"的定義
將代碼定義到R_FCL_CODE_USR段內，否則有坑！！！
編寫好庫文件后可以將fcl_ctrl.c移除工程文件了，進行接口函數的驗證，擦除，寫數據等。
通過程序擦寫FLASH后，mem窗口查看內容不會立即顯示，多調試下載幾次代碼就正常了。
總結完畢，歡迎討論。