STM32系統中的2種數據掉電保護方法！
在嵌入式設備開發中，往往需要保存一些掉電不易失性的數據，如果系統配置、用戶定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基於I2C的24C02等等）往往會造成額外的PCB空間增大，硬件成本增加，降低產品的性價比。如果單從實用性來講，在stm32的系統中，諸如此類的應用，筆者推薦如下2個方法可以去嘗試和借鑒。
基於備份寄存器
原理：對於大容量的MCU系列來說，它有着42個16bit的備份寄存器，而中小容量的微處理器卻只有10個16bit的備份寄存器。以STM32F103C8T6為例，42個備份寄存器的地址偏移為:0x04~0x28,0x40~0xBC，共可以存儲84個byte數據。備份寄存器是依賴者備份電源的，當外界的VDD掉電，只要系統的VBAT能正常存在，那么Bakeup Domaain Registers的內容可以被正常保存起來。
軟件編程要點，以一個項目中常用的case為例：
功能初始化：
備份寄存器讀出：void BKP_WriteBackupRegister(uint16_t BKP_DR, uint16_t Data)
備份寄存器讀出：uint16_t BKP_ReadBackupRegister(uint16_t BKP_DR)
該方法使用簡單，清晰，但是由於總共的可以利用的空間少，故該方法只是適合於保存小批量的數據，如穿戴設備中用戶的常用配置數據。
基於內部閃存
原理：FLASH 存儲器又稱為閃存，它也是可重復擦寫的儲器。它分為 NOR FLASH 和 NAND FLASH，NOR FLASH一般應用在代碼存儲的場合，如嵌入式控制器內部的程序存儲空間；而 NAND FLASH 一般應用在大數據量存儲的場合，如U 盤以及固態硬盤等，一般都是 NAND FLASH 類型的。
在stm32芯片中，Flash的讀寫單位都是以“頁”為單位的，以STM32F103C8T6為例，它的每頁大小為2K bytes;
軟件編程要點
讀寫保護解除：使用這種方法前提是，當前讀和寫Flash的允許的，假設當前flash已經是允許寫的。所以暫時一些關於OptionBytes的操作和Flash的讀寫保護操作等API暫時不做討論。
FlashWrite：單個uint32_t數據的寫入簡易流程如圖：
FlashRead：對於單個int數據的讀出，比較簡單，通過下列語句完成：rdData= (*(__IOuint32_t *)dataAddr);
由於SW介入的API較多，並且有很多的額外的背景知識需要碼農去了解，使用該方法，相對比較復雜。但是由於保存數據以頁為單位，頁的大小可以多達2048bytes，所以該方法可以實用於保存掉電不易失的大數據。考慮到flash讀寫保護的邏輯機制，該方法最好在不考慮數據的安全性問題前提下，才使用這種方法。