flash有四種顆粒SLC、MLC、TLC、QLC。
SLC質量最好也最貴，MLC、TLC、QLC依次變差變便宜。
下面是具體的介紹，來自網絡。
SLC（單層存儲單元）
全稱是Single-Level Cell，單層電子結構，每個cell可以存放1bit數據，SLC達到1bit/cell，寫入數據的時候電壓變化區間小，P/E壽命較長，理論擦寫次數在10萬次以上，但是由於成本最高，所以SLC顆粒多數用於企業級高端產品中。
MLC（雙層存儲單元）
全稱是Multi-Level Cell，使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，MLC達到2bit/cell，P/E壽命較長，理論擦寫次數在3000-5000次左右，成本相對較高，但是對於消費級來說也可以接受，多用於家用級高端產品中。
TLC（三層存儲單元）
全稱是Trinary-Level Cell，三層式存儲單元，是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell，由於存儲密度較高，所以容量理論上是MLC的1.5倍，成本較低，但是P/E壽命相對要低一些，理論擦寫次數在1000-3000次不等，是目前市面上主流的閃存顆粒。
QLC（四層存儲單元）
全稱是Quad-Level Cell，四層式存儲單元，QLC閃存顆粒擁有比TLC更高的存儲密度，同時成本上相比TLC更低，優勢就是可以將容量做的更大，成本上更低，劣勢就是P/E壽命更短，理論擦寫次數僅150次。