基本常識：
（1）Hot switch好的程序應避免使用熱切換（這里熱的含義類似於熱插拔的“熱“），熱切換是指帶點操作，有電流的情況下斷開開關或閉合開關的瞬間，有電流通過，這會減少開關的壽命甚至直接損壞開關。
（2）Latch-up 閂鎖效應，由於在信號，電源或地等管腳上施加了錯誤的電壓，在CMOS器件內部引起了大電流，造成局部電流受損甚至燒毀，導致器件壽命縮短設置潛在失效等災難性后果。
DC測試與隱藏電阻
許多DC測試或驗證都是通過驅動電流測量電壓或者驅動電壓測量電流實現的，其實質是測量電流之中硅介質產生的電阻值。當測試模式為驅動電流時，測量到的電壓為這部分電阻上產生的電壓，當測試模式為驅動電壓時，測量到的電流為這部分電阻上產生的電流。
我們可以抽象一個電阻代替可能的電路，
VOH/IOH
測試方法：
（一）靜態方法
阻抗計算
其等效電路如下
上圖的兩種狀態分別為第2種和第3種。
一句話：決賽實操和預賽方案，一定先保證邏輯測試，再進行DC測試！
VOL/IOL
方法與VOH/IOH類似
IDD Gross Current
什么是IDD？IDD測試分為動態和靜態兩種，動態IDD是器件在正常工作的時候，Drain對GND的漏電流，靜態IDD是器件在靜態時Drain對GND的漏電流
Gross IDD 測試
