IAR ---- 跟KEIL一樣，TouchGFX自動生成的工程項目，在IAR中同樣不能正確燒寫片外flash！不過，經過適當的手動配置，IAR是可以燒寫片外flash的，只是要費些周折。下面以Clock例程為例說明配置過程。
以STM32F769I-DISCO板子為例，創建一個TouchGFX工程，並使用系統自帶的Clock例程：
不需要編寫任何代碼，使用Clock例程就行，先運行VS、看看在仿真器上是否能正確跑起來這個Clock。然后，進入IAR，因為使用的是目前最新的IAR版本V8.32，所以要使用 IAR8.x 這個目錄下的IAR工程：
這個目錄中還有 .board、.flash等文件，這些文件非常重要，燒寫flash就靠他們了，后面將詳述。雙擊 application.eww ，打開IAR，如果彈出詢問是否升級的窗口：
選擇 Yes ，轉換成新版的工程文件，然后就進入了IAR界面。 按下 F7 編譯：
IAR正確生成了out 和 hex 目標文件。嘗試下載：
彈出一個錯誤信息：
大意是：系統在生成flash算法時出錯了，左下方的 Debug Log 中有詳細解釋：
圖七中顯示了一個警告：燒寫flash警告，代碼段位於地址 [0x90000000,0x9003CC5F] 范圍的將不能被燒寫。這個地址范圍正是片外flash的地址，檢查一下當前IAR關於燒寫flash的配置情況，Alt+F7 打開工程選項，在 =>調試器=>下載 選項頁下，有一個 .board 文件：
IAR項目主目錄下有一個 FlashSTM32F76xxI.board 文件，它描述了目標板子上flash的“配置”情況，在上圖中直接點擊 Edit 按鈕就可以打開這個文件：
可以看到，.board 文件中描述了F7片內2個地址段對應的燒寫算法文件（.flash文件），但沒有配置片外地址為0x9000 0000開始的flash對應的算法文件，所以造成燒寫失敗。
通過查找IAR的相關資料，並仿照另外一個IAR支持片外flash燒寫的ST官方開發板的 .board 文件，針對 STM32F769I-DISCO 板子重新編寫了幾個燒寫片外flash的算法文件、一共6個文件如下：
鏈接：https://pan.baidu.com/s/16BPxsdbIBEbyMNknpBeB9Q
提取碼：9mkz
將這6個文件全部copy到IAR工程目錄下：
在IAR中重新指定燒寫flash的 .board 文件為 FlashSTM32F769I-DISCO.board ：
再次點擊 Edit 查看：
地址0x9000 0000已經有對應的算法文件了（並且，去掉了本項目中沒用到的TCM flash）。再次下載，目標板成功燒寫：
板子實際跑的效果：
也許有網友好奇：那個 FlashSTM32F769I-DISCO.board 文件，以及其他5個文件是怎么做出來的？對這些文件制作過程以及分析思路感興趣的朋友請繼續往下看。
我們使用自己修改的 .board 文件成功實現了IAR燒寫片外flash，下面說說這個 .board 文件的制作過程。
KEIL中的flash算法燒寫文件是 *.flm 文件，例如，STM32F769I-DISCO 板子對應的是 STM32F769I_QSPI_Macronix.FLM 文件：
這是一個經過編譯的二進制文件，ST的每一個開發板都對應着一個 flm 文件。在IAR中，flash算法燒寫文件是 *.board 文件：
這是個文本文件（腳本），內容是若干flash地址對應的 .flash 描述文件。以 FlashSTM32F7xx_STM32F746G-DISCO.board 為例，其中包含了3個 .flash 文件：
1）0x08000000 0x080FFFFF FlashSTM32F74xxG.flash
2）0x00200000 0x002FFFFF FlashSTM32F74xxG_TCM.flash
3）0x90000000 0x90FFFFFF FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.flash
.flash 文件也是文本文件（腳本），包括2部分內容：指明如何讀寫flash的二進制算法文件 .out ，以及描述flash總線初始化、芯片pin定義的 .mac 文件。以 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.flash 為例，它描述了片外flash如何燒寫，其中一個文件是 FlashSTM32F7xx_QSPI_MICRON.out ，表明flash品牌是MICRON，這是個二進制文件，所有MICRON的flash都是用它來讀寫；另一個文件是 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.mac，是個文本文件，打開這個文件可以看到 QSPI 接口用到的6個pins ：PB2、PB6、PD11、PD12、PD13、PE2。
總結一下IAR燒寫flash過程：先讀取 *.board 腳本文件，再讀取不同地址映射的 *.flash 文件，從中獲得讀寫flash的二進制代碼 *.out 文件，同時讀取 *.mac 宏定義腳本文件、對MCU內部、外部flash初始化，並獲得片外flash接口的pin定義，至此，燒寫片內、片外flash的信息已經齊備，之后就是具體的燒寫操作了。
了解了這個過程，下面可以開始處理如何燒寫 STM32F769I-DISCO 板子了。這個雖然是ST官方的板子，但 IAR V8.32 並不直接支持燒寫。第一步，我們先要弄明白板子上flash的型號和pin定義，在《TouchGFX工程中hex目標文件的燒寫方法（一）使用ST-LINK》中，已經知道片外flash是 MACRONIX 的 MX25L512G ，管腳定義見下圖：
QSPI接口片外flash的6個pin是：PB2、PB6、PC9、PC10、PE2、PD13。很遺憾，IAR自帶的 STM32F746G-DISCO 板子的算法文件描述的是MICRON的芯片、並且QSPI管腳定義也不兼容，無法直接拿來使用。經過仔細查找，發現 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.mac 文件中定義的6個pin跟 STM32F769I-DISCO 板子上的完全相同！就是說，把 FlashSTM32F7xx_STM32F723E-DISCO.board、FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.flash、FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.mac 移植過來（幾乎是原樣照搬^_^）就行了。
修改過的文件改名為：FlashSTM32F769I-DISCO.board （所有移植后的文件下載地址見文章末尾），在IAR中加載這個 .board 后、可以燒寫片外flash了。
有一個細節需要注意：IAR項目主目錄下有一個自動生成的 FlashSTM32F7xxx_384kB.out 文件，如果使用這個文件，板子可以燒寫、不報錯，但板子reset后並不能正確運行！而使用 FlashSTM32F7xxx_192kB.out 則沒有問題。沒弄明白這是為什么、也不一定有代表性，這里記錄一下、僅供參考。