負載電容（load capacitance）常用的標准值有12.5 pF，16 pF，20 pF，30pF，負載電容與石英諧振器一起決定振盪器的工作頻率，通過調整負載電容，一般可以將振盪器的工作頻率調到標稱值。
負載電容和諧振頻率之間的關系不是線性的，負載電容變小時，頻率偏差量變大；負載電容提高時，頻率偏差減小。下圖是一個晶體的負載電容和頻率的誤差的關系圖。
圖1、晶振誤差— 負載電容（22 pF 負載電容）
負載電容的定義
從石英晶體插腳兩端向振盪電路方向看進去的全部有效電容為該振盪電路加給石英晶體的負載電容。石英晶體的負載電容的定義如下式：
圖2中標示出了CG，CD，CS的的組成部分。
圖2、晶體振盪電路的概要組成
CG指的是晶體振盪電路輸入管腳到gnd的總電容（比如 USB PHY的USB_XI信號到地）。容值為以下三個部分的和。
● USB_XI管腳到gnd的寄生電容, Ci
● 晶體-震盪電路XI的PCB走線到到gnd的寄生電容，CPCBXI
● 電路上另外增加的並聯到gnd“負載電容”, CL1
CD指的是晶體振盪電路輸入管腳到gnd的總電容（比如 USB PHY的USB_XO信號到地）。容值為以下三個部分的和。
● USB_XO管腳到gnd的寄生電容, Co
● 晶體-震盪電路XO的PCB走線到到gnd的寄生電容，CPCBXO
● 電路上另外增加的並聯到gnd“負載電容”, CL2
CS指的晶體兩個管腳之間的寄生電容（shunt capacitance），在晶體的規格書上可以找到具體值，一般0.2pF~8pF不等。如圖二是某32.768KHz的電氣參數，其寄生電容典型值是0.85pF（在表格中采用的是Co）。
圖3、某晶體的電氣參數
Ci以及Co的取值，一般可以在芯片手冊上查詢到。比如圖4是某芯片的XI/XO的寄生電容值。
圖4、某芯片的輸入電容
CL1/CL2的計算過程：
一般我們會說，計算晶體振盪電路的負載電容，事實上是根據晶體規格書上標稱的負載電容，計算出實際需要在晶體兩端安裝的電容CL1以及CL2的值。
假設我們需要計算的電路參數如下所述。芯片管腳的輸入電容如圖三CN56XX所示，Ci=4.8pF；所需要采用的晶體規格如圖二所示，負載電容CL=12.5pF，晶體的寄生電容CS=0.85pF。
我們可以得到下式：
為了保持晶體的負載平衡，在實際應用中，一般要求CG=CD，所以進一步可以得到下式：
根據CG的組成部分，可以得到：
CG=Ci+CPCBXI+CL1=23.3pF
晶體布線時都會要求晶體盡量靠近振盪電路，所以CPCBXI一般比較小，取0.2pF；Ci=4.8pF。所以最終的計算結果如下：(CL2的計算過程類似)
CL1=CL2=18.3pF≈18pF
例外情況
現在有很多芯片內部已經增加了補償電容（internal capacitance），所以在設計的時候，只需要選按照芯片datasheet推薦的負載電容值的選擇晶體即可，不需要額外再加電容。但是因為實際設計的寄生電路的不確定性，最好還是預留CL1/CL2的位置。