在沒有core的bfm平台跑一下用例：
步驟一、選擇NVR=0，即main array；
步驟二、配置chip-erase time TERASE，需要大於30ms——這是重點；
步驟三、配置chip-erase的recovery timeTRCV，需要大於200us；
步驟四、配置chip-erase使能寄存器ME；
步驟五、等待40ms后，配置program的recovery timeTRCV（與步驟三是同一個寄存器——這是重點），需要大於5us；
步驟六、配置寫地址、寫數據、寫使能寄存器，每次寫需要等待46us左右；
步驟七、配置AHB總線讀flash
還做了以下測試：
1、選擇main array進行chip erase，chip erase后讀到flash默認值為全1；
2、選擇main array進行program，program后讀到flash值為寫入值；
3、不能一上電就program，因為flash中的值不能從0變為1；在program之前，必須要erase，erase后需要將Trcv值從erase恢復時間修改為program恢復時間，否則program后會發現讀出來的值不對，即program不成功；
4、選擇NVR區進行5個sector的擦除，sector擦除后NVR默認值為全1；sector擦除后進行program，讀出來值正常；再選擇非NVR區進行chip erase；再選擇NVR區進行讀，讀出來值正常；
EFC連接AHB-I和AHB-S總線。
AHB-I只能讀前510KByte，AHB-I不能擦除、編碼，AHB-I不能訪問EFC寄存器。
AHB-S只能讀后2KByte，AHB-S可以擦除、編寫flash，或者訪問EFC寄存器。
以下介紹8MHz下soc的幾種主要操作：
1、讀
步驟一，選擇main塊或者info塊，NVR=0即選擇main塊，NVR=1即選擇info塊；
步驟二，設置讀周期，TRC=0（TRC值是基於工作時鍾clk的頻率決定的，TRC>=30ns）
2、正常的編碼：
步驟一，選擇main塊或者info塊，NVR=0即選擇main塊，NVR=1即選擇info塊；
步驟二，設置寫地址寄存器，ADDR（偏移量=0x04）
步驟三，設置寫數據寄存器，WDATA（偏移量=0x1c）
步驟四，設置編碼參數：TNVS、TPGS、TPROG、TRCV（均根據clk頻率決定）；
步驟五，使能寫操作：寫WE寄存器（偏移量0x18）數據0x1
3、頁擦除操作：
步驟一，選擇main塊或者info塊，NVR=0即選擇main塊，NVR=1即選擇info塊；
步驟二，設置擦除開始地址，ADDR（偏移量=0x04）
步驟三，設置編碼參數：TNVS、TRCV、TERASE（均根據clk頻率決定）；
步驟四，使能擦除操作：寫PE寄存器（偏移量0x10）數據0x1
4、mas擦除操作：
步驟一，選擇main塊，即設置NVR=0
步驟二，設置TNVS、TRCV、TERASE（均根據clk頻率決定）；
步驟三，使能mas擦除操作：寫ME（偏移量0x14）數據0x1