分類： LINUX
2014-09-12 09:41:58
原文地址：內存重要參數詳解 RAS CAS 作者：Reny
http://blog.chinaunix.net/u/9205/showart_1091970.h
時序
內存的時序參數一般簡寫為 2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后兩個時序參數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較復雜的時序參數。目前市場上對這兩個參數的認識 有一些錯誤，因為部分內存廠商直接用它們來代表內存性能。
CMD Rate
Command Rate譯為“首命令延遲”，這個參數的含義是片選后多少時間可以發出具體的尋址的行激活命令，單位是時鍾周期。片選是指對行物理Bank的選擇(通過 DIMM上CS片選信號進行)。如果系統指使用一條單面內存，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。
用更通俗的說 法，CMD Rate是一種芯片組意義上的延遲，它並不全由內存決定，是由芯片組把虛擬地址解釋為物理地址。不難估計，高密度大容量的系統內存的物理地址范圍更大，其 CMD延遲肯定比只有單條內存的系統大，即使是雙面單條。Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分芯片組的內存通道被限制到四個Bank。這樣就 可以比較放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用戶最多能安裝多少容量的內存。
宣揚CMD Rate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性廣告，因為所有的無緩沖(unbuffered)內存都應具有1T的CMD Rate，最多支持四個Bank每條內存通道，當然也不排除芯片組的局限性。
tRAS
tRAS在內存規范的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開始接受數據的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實 不然。內存訪問是一個動態的過程，有時內存非常繁忙，但也有相對空閑的時候，雖然內存訪問是連續不斷的。tRAS命令是訪問新數據的過程(例如打開一個新 的程序)，但發生的不多。
接下來幾個內存時序參數分別為CAS延遲，tRCD，以及tRP，這些參數又是如何影響系統性能的呢？
CAS
CAS意為列地址選通脈沖(Column Address Strobe 或者Column Address Select)，CAS控制着從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2，2.5，3這個幾個時鍾周期。在整個內存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地 址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。
過程是這樣的，在內存陣列中分為行和列，當命令請求到達內存后，首先被觸 發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，數據被請求后需預先充電，一旦tRAS被激活后，RAS才開始在一半的物理地址中尋址，行被選定后，tRCD初始化，最后才通過CAS找到 精確的地址。整個過程也就是先行尋址再列尋址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是尋址的最后一個步驟，所以在內存參數中 它是最重要的。
tRCD
根據標准 tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延遲)，對應於CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存尋址。RAS(數據請求后首先被激發)和CAS(RAS完成后被激發)並不是連續的，存在着 延遲。然而，這個參數對系統性能的影響並不大，因為程序存儲數據到內存中是一個持續的過程。在同個程序中一般都會在同一行中尋址，這種情況下就不存在行尋 址到列尋址的延遲了。
tRP
tRP指 RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS， 然后 RAS， tRCD， 和CAS之后，需要結束當前的狀態然后重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是內存工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的數據變化，例如視頻 渲染，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。
顆粒封裝技術
1、SIMM(Single Inline Memory Module，單內聯內存模塊)
內存條通過金手指與主板連接，內存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號，也可以提供相同的信號。SIMM就是一種兩側金手指都提供 相同信號的內存結構，它多用於早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能傳輸8bif數據，后來逐漸發展出16bit、32bit的SIMM模組，其中8bit和16bitSIMM使用30pin接 口，32bit的則使用72pin接口。在內存發展進入SDRAM時代后，SIMM逐漸被DIMM技術取代。
2、DIMM
DIMM與SIMM相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。 同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀；DDR DIMM則采用184Pin DIMM結構，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。
DDR2 DIMM為240pin DIMM結構，金手指每面有120Pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口，但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR內存是插不進DDR2 DIMM的，同理DDR2內存也是插不進DDR DIMM的，因此在一些同時具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不會出現將內存插錯插槽的問題。
3、RIMM
RIMM是Rambus公司生產的RDRAM內存所采用的接口類型，RIMM內存與DIMM的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM有也 184 Pin的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位數據寬度，ECC版則都是18位寬。由於RDRAM內存較高的價格， 此類內存在DIY市場很少見到，RIMM接口也就難得一見了。
時序
內存的時序參數一般簡寫為 2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后兩個時序參數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較復雜的時序參數。目前市場上對這兩個參數的認識 有一些錯誤，因為部分內存廠商直接用它們來代表內存性能。
CMD Rate
Command Rate譯為“首命令延遲”，這個參數的含義是片選后多少時間可以發出具體的尋址的行激活命令，單位是時鍾周期。片選是指對行物理Bank的選擇(通過 DIMM上CS片選信號進行)。如果系統指使用一條單面內存，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。
用更通俗的說 法，CMD Rate是一種芯片組意義上的延遲，它並不全由內存決定，是由芯片組把虛擬地址解釋為物理地址。不難估計，高密度大容量的系統內存的物理地址范圍更大，其 CMD延遲肯定比只有單條內存的系統大，即使是雙面單條。Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分芯片組的內存通道被限制到四個Bank。這樣就 可以比較放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用戶最多能安裝多少容量的內存。
宣揚CMD Rate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性廣告，因為所有的無緩沖(unbuffered)內存都應具有1T的CMD Rate，最多支持四個Bank每條內存通道，當然也不排除芯片組的局限性。
tRAS
tRAS在內存規范的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開始接受數據的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實 不然。內存訪問是一個動態的過程，有時內存非常繁忙，但也有相對空閑的時候，雖然內存訪問是連續不斷的。tRAS命令是訪問新數據的過程(例如打開一個新 的程序)，但發生的不多。
接下來幾個內存時序參數分別為CAS延遲，tRCD，以及tRP，這些參數又是如何影響系統性能的呢？
CAS
CAS意為列地址選通脈沖(Column Address Strobe 或者Column Address Select)，CAS控制着從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2，2.5，3這個幾個時鍾周期。在整個內存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地 址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。
過程是這樣的，在內存陣列中分為行和列，當命令請求到達內存后，首先被觸 發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，數據被請求后需預先充電，一旦tRAS被激活后，RAS才開始在一半的物理地址中尋址，行被選定后，tRCD初始化，最后才通過CAS找到 精確的地址。整個過程也就是先行尋址再列尋址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是尋址的最后一個步驟，所以在內存參數中 它是最重要的。
tRCD
根據標准 tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延遲)，對應於CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存尋址。RAS(數據請求后首先被激發)和CAS(RAS完成后被激發)並不是連續的，存在着 延遲。然而，這個參數對系統性能的影響並不大，因為程序存儲數據到內存中是一個持續的過程。在同個程序中一般都會在同一行中尋址，這種情況下就不存在行尋 址到列尋址的延遲了。
tRP
tRP指 RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS， 然后 RAS， tRCD， 和CAS之后，需要結束當前的狀態然后重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是內存工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的數據變化，例如視頻 渲染，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。
顆粒封裝技術
1、SIMM(Single Inline Memory Module，單內聯內存模塊)
內存條通過金手指與主板連接，內存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號，也可以提供相同的信號。SIMM就是一種兩側金手指都提供 相同信號的內存結構，它多用於早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能傳輸8bif數據，后來逐漸發展出16bit、32bit的SIMM模組，其中8bit和16bitSIMM使用30pin接 口，32bit的則使用72pin接口。在內存發展進入SDRAM時代后，SIMM逐漸被DIMM技術取代。
2、DIMM
DIMM與SIMM相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。 同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀；DDR DIMM則采用184Pin DIMM結構，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。
DDR2 DIMM為240pin DIMM結構，金手指每面有120Pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口，但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR內存是插不進DDR2 DIMM的，同理DDR2內存也是插不進DDR DIMM的，因此在一些同時具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不會出現將內存插錯插槽的問題。
3、RIMM
RIMM是Rambus公司生產的RDRAM內存所采用的接口類型，RIMM內存與DIMM的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM有也 184 Pin的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位數據寬度，ECC版則都是18位寬。由於RDRAM內存較高的價格， 此類內存在DIY市場很少見到，RIMM接口也就難得一見了。