引言
IR2110 / IR2113是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有獨立的高端和低端參考輸出通道。邏輯輸入與標准CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。浮動通道可用於驅動高端配置的N溝道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達500或600伏。
一、關鍵參數
1.1 IR2110關鍵參數
根據上面參數可知，IR2110驅動的功率開關管最高可以工作在500V電壓下，IR2113驅動的功率開關管最高可以工作在600V電壓下。
二、器件特征
2.1 IR2110/IR2113的特征
該器件專門用於驅動類似於半橋結構的自舉驅動；驅動輸出電壓范圍為10-20V，可以應用於大多數IGBT和MOSFET驅動。具備低壓鎖存功能；寬供電范圍（3.3V-20V）；輸入輸出同相位。
2.2 IR2110/IR2113框圖
圖2-1 IR2110/IR2113功能框圖（Functional Block Diagram
2.3 引腳功能說明
2.4 工作時序圖
圖2-2 輸入輸出時序圖
如圖所示當SD為高電平時，無論輸入HIN(LIN)的電平如何變化，輸出HO(LO)均為低電平，所以在具體使用的時候可以通過控制SD引腳來實現封波控制。當SD為高電平時，輸入HIN(LIN)和輸出HO(LO)同向變化。
2.5 手冊波形解讀
2.5.1 開關時間波形
圖2-3開關時間波形
該波形圖反應了IR2110開關時候輸入與輸出電平變化的延遲。ton為開通傳播演示，定義為輸入電平上升到50%到輸出變化到10%之間的傳播時間；tr為開通上升時間，定義為輸出從10%上升到90%所使用的時間；toff為關斷傳播時間，tf為關斷延遲時間。
ton、toff均與溫度、供電電壓VDD、VCC/VBC供電電壓有關。tf、tr僅與溫度和供電電壓有關。相關性如下圖所示。
ton變化曲線
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| ton與溫度的變化關系 |
ton與VCC/VBS供電電壓的關系 |
ton與VDD供電電壓的關系 |
圖2-4 ton變化曲線
toff變化曲線
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| toff與溫度的關系 |
toff與VCC/VBS的供電電壓的關系 |
toff與VDD的供電電壓的關系 |
圖2-5 toff變化曲線
tr變化曲線
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| tr與溫度的關系 |
tr與VCC/VBS的供電電壓的關系 |
圖2-6 tr變化曲線
tf變化曲線
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| tf與溫度的關系 |
tf與VCC/VBS的供電電壓的關系 |
2.5.2 封波鎖存波形圖2-7 tf變化曲線
圖2-8 封波鎖存
封波傳輸延遲時間tsd定義為SD信號的50%到輸出信號的90%之間的時間。tsd與溫度，VDD，VCC/VBS之間的關系如圖2-9所示。
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| tsd 與溫度的關系 |
tsd與VCC/VBS供電電壓的關系 |
tsd與VDD電壓的關系 |
圖2-9 tsd變化曲線
延遲匹配波形MT為LO和HO同時由低變高10%處對應的時間延遲或者由高到低90%處對應的時間延遲
圖2-10 延遲匹配波形