轉載：https://blog.csdn.net/xiaofei0859/article/details/49869585
一直認為"Nor flash沒有壞塊，而Nand flash出廠時可能就有壞塊"，推想NOR flash一旦存在壞塊就報廢了，挺可惜的，今天查找資料才了解到NOR flash 是存在壞塊的，只不過是在內對壞塊進行了處理。
在NOR flash中，存儲單元是互相並聯的，每個存儲單元的字線、源線分別相連。而在NAND flash中，存儲單元是互相串聯的，每個存儲單元的字線、源線首尾相接。
可靠性比較。閃存的可靠性通常可以分為使用壽命、壞塊處理兩個方面。閃存的使用壽命，指的是閃存中每個單元塊進行重復編程和檫除的最大次數。當超出規定的最大次數，閃存就可能工作異常。通常NOR flash的最大檫寫次數是十萬次，而NAND flash是一百萬次。閃存內的壞塊處理，是指生產出的閃存並不是完美的，總會有某些比特或者某些區域不可使用，這時候就要對閃存進行壞塊處理。針對個別比特的失效，一般通過冗余比特替換或者錯誤檢查和糾正的方法來進行糾正。冗余比特替換，是指在芯片設計時，每組存儲單元會有若干個冗余比特，當該組存儲單元存在失效的比特，就可以用冗余比特加以替換。冗余比特替換的方法常用於NOR flash中。錯誤檢查和糾正（ECC），是指芯片中每組存儲單元會有若干個比特用做數據的校驗，當該組存儲單元存在失效的比特則通過相應的數據校驗算法，還原中真實的數據。錯誤檢查和糾正的方法常用於NAND flash中。當失效的比特很多且連續時，失效的比特所在的區域會被認識是集體失效。在NOR flash中，失效的區域通常也會被冗余的存儲單元塊替換掉，而在NAND flash中，失效的區域會被標記為不可用。這是因為在應用中，NOR flash通常被認為是完美的，不允許出失效，而對於NAND flash來說，一點比例的失效是不可以接受的。
應用中比較。在應用中，NOR flash由於功能豐富，不需要其他的軟件支持，就可以被系統直接尋址，並在內部直接運行操作代碼。而NAND flash的功能相對簡單，通常需要搭配相應的控制芯片和驅動程序，才能對其進行操作。
---------------------
作者：xiaofei0859
來源：CSDN
原文：https://blog.csdn.net/xiaofei0859/article/details/49869585