參考博文：https://blog.csdn.net/u011729865/article/details/53488431
對umc28nm standard cell library，做一些閱讀理解，很多數據資料來源。
HVT/SVT/LVT的意思？
high Vt
Standard Vt（也有稱為Regular Vt，即RVT)
low Vt
閾值電壓越低，因為飽和電流變小，所以速度性能越高；但是因為漏電流會變大，因此功耗會變差。
PVT
process、voltage、temperature
technology是28nm工藝；process是制造流程，一般分為FF/TT/SS。兩者的內容應該包括high-speed/high-density/HVT/SVT/LVT/multi-channel等信息。
multi-channel library
對應不同的gate-length，即溝道長度。一般比工藝28nm要大一些。
例如，umc28nm的SVTmin 相對 SVTmax，性能增加20%，靜態功耗增加80%。
7T/9T/12T
分別對應ultra-high-density（for lowest power in SOC blocks）、high-density（for highest density in GPU blocks）、high-speed（for highest performance in CPU blocks）。
T，代表track；是單元庫的版圖規則；作為一個計量單位。
標准單元庫的單元高度，基本都是固定的，方便版圖的布局；高度，通常以track作為計量單位，即用M2 track pitch來表示。
track和pitch的區別？
對於前端設計人員來說，不必深入。只要看懂databook就可以了。個人當前理解track和pitch，就是一樣的；pitch=minSpacing+minWidth。
grid是單元庫里，與工藝制造精度相關的名稱。一般pin都放置在grid上，這也不需要多加深入，就認為是工藝在版圖上的最小精度就可以了。
don’t use單元列表
綜合不允許使用的，一般是驅動能力太強或者太弱的標准單元不用；還有其它為了性能、功耗、面積衡量的單元。
推薦的單元庫選擇方法
HLP和HPC的區別
HLP，high performance low power；這個應該是主流？
HPC，high performace compact。
ps：28nmHLP的core電壓，是1.05V；HPC的core電壓，則是0.9V。
舉例，以CA53來看，HPC相對HLP，性能增加32%；面積減小5%。
另外，發現HLP的版圖，跟HPC不一樣。
SOC系統需要的單元庫划分
推薦的單元庫優化方法
舉例說明ulvt：
uLVT是什么意思呢，UltraLowVoltageThreshold，指的是標准邏輯單元（StandardCell）用了超低電壓門限。電壓低對於動態功耗當然是個好事，但是這個標准單元的漏電也很高，和頻率是對數關系，也就是說，漏電每增加10倍，最高頻率才增加log10%。后端可以給EDA工具設一個限制條件，比如只有不超過1%的需要沖頻率的關鍵路徑邏輯電路使用uLVT，其余都使用LVT，SVT或者HVT（電壓依次升高，漏電減小），來減小總體漏電。對於動態功耗，后端還可以定制晶體管的源極和漏極的長度，越窄的電流越大，漏電越高，相應的，最高頻率就可以沖的更高。所以我們有時候還能看到uLVTC16，LVTC24之類的參數，這里的C就是指ChannelLength。
