一、DRAM的存儲元電路
常見的DRAM存儲元電路有四管式和單管式兩種，它們的共同特點是靠電容存儲電荷的原理來存儲信息。電容上存有足夠多的電荷表示“1”，電容上無電荷表示“0”。 由於電容存儲的電荷會逐漸泄漏，即使電源不掉電，信息也會很快消失，應用中需要定時恢復存儲的電荷。與SRAM相比，DRAM具有集成度高，功耗低等特點，目前被廣泛應用於各類計算機中。
四管DRAM存儲元
二、
刷新操作：由於存儲的信息電荷終究是有泄漏的，時間久了，信息就會丟失。為此，必須設法由外界按一定規律不斷給柵極進行充電，補足柵極的信息電荷，這就是所謂“再生”或“刷新”。
設原存信息為“1”，T1管截止，T2管導通。若經過一段時間，T2管柵極上漏失一部分信息電荷，使A端的電壓稍小於存“1”時的滿值電壓。此時，在字選擇線上加脈沖，T5、T6開啟，A端與位線D相連，從而充電到滿值電壓，刷新了原存“1”的信息。因此，定時給全部存儲單元電路執行一遍讀操作，就可以實現信息再生。
三、單管DRAM存儲元
為提高芯片的存儲密度，現在動態RAM芯片中一般采用圖4-9所示的單管動態存儲元電路，其中T1管為字選控制管，字選線有效（高電位）使其導通。
讀操作：字選擇線為“1”，使T1管導通。若原存“1”，則C上電荷通過T1管向位線（數據線）泄放，通過讀出放大器形成讀“1”信號。反之，若原存“0”，則無泄放電流。因為讀出時C電荷泄放，電位下降，所以是破壞性讀出，在讀出后應有重寫操作。
寫操作：字選擇線為“1”，使T1管導通。要寫“1”，在位線（數據線）上加高電位，經T1管對C充電；寫“0”則在數據線上加低電位，使CD上無電荷。
刷新操作：由於MOS管柵極電容上存儲的電荷會緩慢泄放，超過一定時間（2~3.3ms），就會丟失信息。因此必須定時給柵級電容補充電荷，進行“刷新”操作。
單管DRAM存儲元電路
四、DRAM存儲器芯片的讀/寫周期
讀周期
DRAM的讀周期時序如圖4-11(a)所示。
為了使芯片能正確地接收行、列地址並實現讀操作，各信號的時間關系應符合下面的要求：行地址必須在RAS#信號有效之前送到芯片的地址輸入端；CAS#信號應滯后RAS#一段時間，並滯后於列地址送到芯片地址輸入端的時間；RAS#、CAS#應有足夠的寬度；WE#信號為高，並在CAS#有效之前建立。
圖為DRAM時序
寫周期
DRAM的寫周期時序如圖4-11(b)所示。
有兩點需要說明一下：
1、WE#信號為低，並在信號CAS#有效之前建立。
2、數據必須在CAS#有效之前出現在DIN端。
五、DRAM的刷新
刷新的實質是先將原存信息讀出，再由刷新放大器形成原信息並重新寫入的再生過程。由於存儲元被訪問是隨機的，有可能某些存儲元長期得不到訪問，無讀出也就無重寫，其原信息必然消失。為此，必須采用定時刷新的方法，規定在一定的時間內，對DRAM的全部存儲元電路做一次刷新，這一段時間間隔叫做刷新周期，或叫再生周期，一般取2ms、4ms或8ms。
