電容的分類：
DRAM：基本原件是電容，需要定時刷新，存儲速度較慢
DRAM又分為：SRAM(同步動態隨機存儲器synchronous dynamic random access memory)
DDR(雙倍速率同步動態隨機存儲器double data rate sdram)
DDR2（在ddr的基礎上改進）
SRAM:是一種靜止存取功能的內存，不需要定時刷新，存儲速度快，缺點是功耗大，成本高，常用作存儲容量不高但是存儲速度較快的地方（stepping stone：墊腳石）
內存的內部結構是一個如同一個數據表格，稱為結構表
一般一個內存單元中會被 划分為4個 L-BANK
2440中有27根地址線，可以尋址128M的空間。
2440中將bank7和bank6做內存總共64M的內存空間
為了尋址更大的空間，2440提供了片選信號，總共有8 個管腳提供8個片選信號
內存初始化：（CPU對內存的訪問時通過存儲控制間接訪問的）
BWSCON:0X48000000（設置外接存儲器的總線寬度和等待狀態）
總共32位，分成8組，每組4位，分別控制8個bank
STX:
0：沒有用UB/LB
1：用UB/B
注意：UB/LB pin腳，用來分別訪問數據的高低字節
WSX:
總線等待使能，一般是不讓其等待的
DWX:
數據線寬度
BANKCONn:總共是有6個，其控制字不變，保持其默認值ox00000700
BANKCON6：（需要分別設置,16位）
BANKCON7：（需要分別設置，16位）
MT[16:15]：決定存儲器類型
Trcd[3:2]:決定是行列信號的轉化時間，芯片手冊的時序圖是兩個時鍾周期
SCAN[1:0]:決定列的數量，查看內存手冊是9
REFRESH:0x48000024（23位）：
REFEN[23]:決定存儲器是否刷新，1=刷新
TREFMD[22]:決定存儲器刷新模式，0=自動刷新
Trp[21:20]:決定列刷新頻率， 根據內存手冊時序邏輯圖，00=兩個時鍾周期
Tsrc[19:18]:決定行刷新頻率，11=7個時鍾周期
Refresh Counter[10:0] ：決定SDRAM刷新的時間（這里和前面的列和行刷新不一樣），根據計計算公式 取十進制數1269
BANKSIZE:0X48000028(8位)：
BURST_EN[7]:使能ARM內核突發模式，一次處理器可以批量的訪問內存數據，1=使用
SCKE_EN[5]:是否使用節電模式，1=使用
SCLK_EN[4]:串行時鍾使用時啟動，1=使用
BK76MAP[2:0]:定義內存大小，000=32/32
注意：2440的內存初始化總共需要初始化13個控制寄存器
MRSB6/7:0X4800002C/0X48000030:內存模式（12位）
CL[6:4]：CAS latency 固定內存尋址存儲持續時間，跟在列/行尋址后持續的時間，011=查看芯片手冊時序時間表。
6410存儲器空間：
32位地址線，最大尋址4G內存空間，一般高2G空間是，低2G 空間。
其中低2G存儲空間是又被分為：
外設存儲空間和主存儲空間
主存儲空間又被分為：
動態存儲區
保留區
內部存儲區
鏡像存儲區
靜態存儲區
總結：無論是時鍾初始化的寄存器，還是內存初始化的寄存器，其寄存器的地址空間都是處於內存中的外設區