好的時序是通過該嚴密的邏輯來實現的。http://blog.csdn.net/i13919135998/article/details/52117053介紹的非常好
有RAM（隨機存儲器可讀可寫）ROM（只讀存儲器：存儲內容是固定不變的，只能讀出不能寫入的半導體存儲器。）CAM（內容可尋址存儲器）、DRAM（動態隨機存儲器）、SRAM（靜態隨機存儲器）、FLASH（閃存）、FIFO（先入先出緩存器）
表格總結
| 存儲器 | 功能 | 尋址方式 | 掉電后 | 說明 |
| 隨機存取存儲器（RAM） | 讀、寫 | 隨機尋址 | 數據丟失 | |
| 只讀存儲器（ROM） | 讀 | 隨機尋址 | 數據不丟失 | 工作前寫入數據 |
| 閃存（Flash Memory） | 讀、寫 | 隨機尋址 | 數據不丟失 | |
| 先進先出存儲器（FIFO） | 讀、寫 | 順序尋址 | 數據丟失 | |
| 先進后出存儲器（FILO） | 讀、寫 | 順序尋址 | 數據丟失 |
選擇存儲器需要考慮的設計參數有：包括微控制器的選擇、電壓范圍、電池壽命、讀寫速度、存儲器尺寸、存儲器的特性、擦除/寫入的耐久性以及系統總成本。
我所使用的C5G開發板有存儲器SRAM和LPDDR，先看實例，然后將其加入到我的系統設計里邊去，加油~
關於LPDDR有：DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鍾讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有着成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標准－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
關於SRAM有：
話說SRAM（靜態）,DRAM（動態）,SDRAM（同步（Synchronous）DRAM）
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。“靜態”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然后，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。“隨機訪問”是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關
關於兩者的應用方面：
Static RAM（SRAM），指的是一種具有靜止時存取功能，在不需要刷新電路的情況下依然可以保持內部存儲數據的存儲芯片。
一般來說有兩個主要的規格：
1. 一種是放置於單片機CPU與主存儲之間的高速緩存，有兩種規格，一種是會固定在電路主板上的高速緩存，另一種是插入電路卡槽的COAST擴充用的高速緩存。
2. 第二種是內置於CMOS芯片146818的電路中，內部有128字節小容量的SRAM存儲芯片，用於存儲我們設置的配置數據，也有用於加速單片機CPU內部數據的傳遞，從80486CPU開始，基本上CPU內部會將SRAM設計進去作為高速緩存，SRAM存儲芯片在讀取數據上速度比較快，不需要刷新電路，目前在市場上，價格相對其他的DRAM還是高了點，主要用於高要求的行業中的應用，
基本特點
1.速度相對快，不需要刷新電路，可以提高整體工作效率。
2.SRAM集成度低，功耗高，相同的容量的情況下比DRAM等存儲芯片體積大，
SRAM存儲的應用
1.CPU與主存之間的高速緩存。
2.CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存。
3.CPU外部擴充用的COAST高速緩存。
4.CMOS 146818芯片。
同步SRAM存儲芯片在傳統上的應用是搜索引擎，用於對算法的實現，長時間來這也是SRAM存儲芯片在網絡的主要作用。跟隨着新的存儲技術的出現，設計者為SRAM存儲芯片找到新的應用領域。
現在對路由器跟交換機的要求已經不僅僅限制於FIB搜索，計數器需要對接收服務包的信息包數量進行跟蹤，並從中獲取統計數據從而解決賬單編制問題，並通過統計來不間斷監視網絡，並完成對問題的檢測及判定，並隨着每個信息包處理量的遞增，就必然采取包緩沖器來提高處理能力，除了上面提及到的以外，隨着系統中存儲器資源的增加，動態存儲分配也是必需的，路由器或者交換機的這些附加功能正在重新定義這網絡系統的設計。
具有更多新功能的網絡系統
並隨着IPv6和VRF的快速普及，對更寬、更深、更快和更高效系統的需求變得更為迫切。系統設計者必須能以最低的成本來滿足網絡系統的所有度量標准。這時，之前的同步SRAM已經難以滿足需求了。所以這些功能需要借助DDR或QDR SRAM等速度更快、帶寬更高的SRAM存儲芯片來實現。
QDR 與 DDR SRAM
在由瑞薩、、賽普拉斯IDT、NEC和三星公司組成的QDR協會的合作下開發出了QDR SRAM存儲芯片，目的通過把SRAM存儲芯片性能提升為原先的4倍用於滿足那些不僅需要標准ZBT或NoBL SRAM的低延遲和滿周期利用率，並還需要極大幅度提高工作頻率的系統對帶寬的要求。QDR SRAM存儲芯片具有單獨的讀和寫端口，設計里在每個數據引腳上以雙倍數據速率各自獨立地工作，因此能在一個時鍾周期中傳輸4個數據字，因此4倍數據速率而得名。設計上采用分離的讀/寫端口從根本尚消除了SRAM與存儲控制器之間對總線爭用的沖突，這就是傳統的公用I/O器件的問題所在。因此QDRII SRAM被稱呼為回波時鍾的源同步時鍾，它們與數據輸出由同一道生成。QDR SRAM采用了HSTL I/O標准，從而實現高速緩存操作。
QDR SRAM主要的應用在於面向那些需要在讀和寫操作之間進行轉換，而DDR SRAM主主要的應用在於面向需要進行數據流式處理，此時，讀和寫操作之間的近期平衡為百分百的讀操作或百分百的寫操作。但在這種情況下，有一根QDR SRAM總線在百分之五十的時間里沒被使用過。同時其它總線也是可能具有不平衡的近期讀/寫比例。這是督促人們對DDR公用I/O SRAM存儲芯片開發的主要因素，在這種器件中，輸入和輸出數據端共同使用同一根總線。在從讀操作向寫操作轉換的過程中，需要總線轉向周期，並使得可用帶寬減少。因此，對於某些系統來說，這必然產生了比QDR架構的平均總線利用率更優，控制信號幾乎極少，而且又與QDR器件控制信號有些不同的地方。
SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）
各類存儲器之間的區別和聯系：
