目前最快的是蘋果NVME，當然UFS2.1也不差
iPhone6s與iPhone6s Plus在硬件的規格上有了很大的提升，但是它們身上的變化遠沒有蘋果在發布會上所提到的A9處理器、1200萬攝像頭以及3D Touch那么簡單，內存升級到2GB LPDDR4蘋果就只字沒提到，其實這兩台手機上有着更大的秘密，它們的存儲設備既不是eMMC也不是UFS規范，而是NVMe。
Anandtech透過深度發掘手機內的系統文件，發現iPhone 6s所用的是型號為AP0128K的蘋果SSD，而2015版MacBook上所用的SSD型號為AP0256H，這兩者在命名上很相似。
他們發現iPhone 6s上的SSD用的不是傳統eMMC所用的SDIO接口，而是PCI-E，這個PCI-E也不電腦上的那個，是基於MIPI M-PHY物理層的PCI-E，使用NVMe接口協議，UFS規范走的也是PCI-E物理層同樣是MIPI M-PHY，不過接口協議是SCSI。
一般來說現在智能手機都是使用eMMC規范的閃存存儲裝置，今年三星在Galaxy S6系列手機上推行了UFS 2.0規范的存儲裝置后手機的閃存讀寫性能獲得顯著提升，大幅拋離其他手機，現在蘋果要在iPhone 6s系列手機上使用的NVMe則更是電腦上用的最新規范。
從iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s Plus的照片上來看，上面閃存也只有一顆，沒看到控制器，可以推斷這個芯片其實已經整合了控制器以及NAND Flash，Anandtech讀出了他們所測的機器上的閃存內部信息，NAND型號是1Y128G-TLC-2P，也就是說使用1Y nm工藝的TLC NAND，容量為128GB。
下面是iPhone 6s的閃存性能測試，大家來感受一下NVMe的威力：
連續讀取速度是402MB/s，遠遠拋離上代產品
連續寫入速度為164MB/s，比上一代產品翻了一翻
4K隨機讀取速度為22.5MB/s，比上代也有大幅提升，不過沒三星的Galaxy S6強
4K隨機寫入速度為2.2MB/s，也較iPhone 6有很大提升，不過手機與平板這項表現都偏弱
手機等移動設備的硬件發展可謂日新月異，僅幾年的時間，處理芯片已經從單核發展到了八核，屏幕分辨率從960x540發展到了2K，運行內存也從1GB發展到了6GB。其實對於手機硬件狂飆猛進的發展現象還是比較好理解的，畢竟我們對手機運行速度有着較高的要求。
實際上，除CPU、GPU、運行內存等核心硬件會影響手機的性能外，閃存（ROM）也是影響手機處理速度的重要部件。畢竟閃存決定着手機讀寫數據的速度，手機閃存讀寫速度越快，手機安裝或者啟動APP以及存放文件的速度也就越快。
手機的閃存的內部構造與U盤和SSD的差異不太，同樣具備了NAND（存儲數據的MLC/TLC閃存顆粒）以及負責控制數據傳輸和閃存磨損平衡的主控IC，只是因為手機內部空間有限（寸土寸金），兩者是終被封裝到同一塊芯片內。
然而，小到掉到地板也不好撿的手機閃存，在近幾年來也有着突飛猛進的發展。譬如，手機閃存的eMMC標准規格從eMMC 4.4發展到eMMC 4.5，讀取速度實現翻番達到200MB/s。然后，很快又進入了eMMC 5.0時代，讀寫速度再次翻番達到400MB/s。
接着，在去年初的時候迎來最新的eMMC5.1，理論帶寬達到600MB/s。這時eMMC標准規格已經基本榨干，攪局者UFS 2.0便開始亮相。
進入UFS 2.0時代，讀寫速度提升300%
相較於eMMC的閃存，UFS 2.0的閃存采用了新的標准，其使用的是串行界面，支持全雙工運行，能夠同時讀寫數據（eMMC是半雙工，讀寫必須分開執行）。
因此，在讀寫速度上面，UFS 2.0會領先eMMC一大截，譬如UFS 2.0閃存讀寫速度最高可達到1400MB/s，是eMMC 5.0的3倍。
三星在15年初最早在Galaxy S6上使用了UFS 2.0內存，目前，包括高通驍龍821/820、三星Exynos 8890等旗艦芯片都已經支持UFS 2.0，UFS 2.0已經逐步普及到各種旗艦機型上。
除了三星外，東芝和海力士也已經能夠生產UFS2.0，相信UFS 2.0的全面普及將很快來臨。
值得一提的是，UFS 2.0的閃存除了讀寫速度有着巨大優勢，其功耗也有着較為理想的表現。
同時，雖然UFS 2.0滿載時的功耗功率比eMMC的高，但其待機功耗只有eMMC的一半左右，而且UFS 2.0可以更快地完成操作而切換到待機狀態，因此其綜合功耗水平與eMMC的差不多。
UFS 2.0沒對手？蘋果還跑在前頭
實際上，UFS 2.0目前並非沒有對手，而其強敵就是蘋果。
蘋果使用的移動閃存方案借鑒了MacBook固態存儲的方案，非常前瞻性地引入了NVMe協議，而且支持TLC/SLC混合緩存加速。相較傳統的SCSI接口協議，NVMe協議具有高效率、低負載的特性，因此性能更高而且低延時。
實際的讀寫測試結果顯示，iPhone6s Plus的內存數據讀取速度明顯比Galaxy S7的UFS 2.0閃存快，而且iPhone 6s Plus的內存數據寫入速度是Galaxy S7的UFS 2.0閃存的2.65倍。
不過，在隨機讀寫速度方面，iPhone 6s Plus的閃存卻被UFS 2.0扳回了一城，但整體來看，iPhone 6s Plus的閃存連續讀寫速度還是遙遙領先UFS 2.0。
PS：最新的iPhone7使用的依然是NVMe存儲，性能相比於iPhone 6s沒有太大變化，只有一些正常波動，整體水平依然遠勝安卓陣營。
不急，UFS 2.1才是大殺器！
盡管目前UFS 2.0的閃存被蘋果壓制着，但其還有很大的提升空間。實際上，UFS 2.0共有兩個版本，其中一個是HS-G2，也就是目前的UFS 2.0。
然而，另個一個版本則為HS-G3，可以稱為UFS 2.1，其數據讀取速度將飆至1.5G/s，也就是目前UFS 2.0的兩倍。
由於UFS 2.1具有更快的數據讀寫速度，相信其很快就會代替UFS 2.0，成為主流的閃存方案。如果，UFS 2.1得以普及，我們手機運行速度以及文件存放速度將會有明顯的提升，而且留給開發者的開發空間將更大。因此，UFS 2.1技術的商用是目前行業關注的集點。
據悉，三星計划在今年內投產UFS 2.1閃存，而且也有可能是首家采用該閃存的廠商。此外，還有消息稱華為計划在今年內發布的麒麟960處理器也將支持UFS 2.1，而且新機也有可能率先使用UFS 2.1的閃存。