動態RAM
1.動靜態的區別是存儲原理的不同，但是它們的命名是由過程中的動作的差別，如動態的過程中有刷新的動作。
2.動態RAM比靜態的RAM的集成度要高，功耗要小（集成度代表着完成一個相同的功能所需的器件數，動態RAM所需的MOS管數比靜態所需的要少）。
單管動態基本單元電路的集成度比三管動態基本單元電路要高。
動態RAM中的電容存儲着電荷，電荷的多少代表着存儲的信息。動態RAM中的電容相當於靜態RAM中的雙穩態觸發器，具有記憶功能。
動態RAM比靜態RAM有優勢，這才會導致動態RAM的誕生。動態RAM中，單管比多管有優勢，這又導致了單管RAM的誕生。
3.三管動態基本單元電路
三管動態基本單元電路中，電容的周邊有三根MOS管充當的控制管，最右側還有一個預充電信號的MOS管。
作為基本單元電路，肯定要有兩條行列選擇線，本質上是地址線（這里是錯誤的，在動態RAM中，沒有看到行列選擇線）。但是三管動態RAM的線路和靜態RAM的基本單元電路不同的是，讀寫控制線和數據線是同一條線。→這里的理解是錯誤的，還有些混亂。如果單純地從動態三管基本單元電路來看的話，只有四條線，呈井字型。這四條線分別是讀寫數據線和讀寫控制線，從中我們看不到任何的行列選擇線。芯片都是由基本單元電路的矩陣構成，芯片中肯定要有基本單元電路的行列選擇線，這里沒有看到，只能說明一點，行列選擇線采用了一種復用的形式。
芯片中每一行的矩陣擁有兩條行選擇線，一條充當讀控制線，一條充當寫控制線。這兩條線每次用一條。復用原理
同樣的，芯片的同一列擁有兩條列選擇線，一條是讀數據線，另一條是寫數據線。這兩條線每次用一條。復用原理
其實靜態中的讀寫數據線和讀寫控制線是間接鏈接在一起的。
在基本單元電路的內部的三個控制管，有兩個是屬於讀寫控制線。
4.三管動態基本單元電路的讀過程
整個基本單元電路中，右側讀的結構比寫要復雜一些。有三個控制管，一個是預充電信號，一個是讀選擇線的控制管，最后一個是電容的控制管。三管RAM的讀是一個反饋的過程，這和靜態RAM的讀不太一樣。我們先充電，給了讀數據線一個“1”信號，但這並不是最終的讀輸出信號，還要依據電容中的存儲信息產生變動。如果不在讀數據線的輸出端添加一個反向器，那么電容中的存儲信息和輸出信息是相反的。電容的下方接的是地，當電容有足夠多的電荷時，讀數據上的高電平會被導通到地，放電。
從整個大的芯片結構來看的話，動態RAM要比靜態RAM多出好幾樣部件，行選擇線多一條，預充電信號，刷新放大器，這都是多出來的。
5.三管動態RAM基本單元電路的寫過程
無論是讀過程還是寫過程，讀寫選擇線一定是有高電平的。一旦寫操作被執行，那么寫數據線和電容之間都被導通了。如果寫數據線上是高電平，那么無論電容中是怎樣的情況，都會給它沖足夠多的電荷，使它為1，如果寫數據線為0，那么電容就通過控制管放電至0.
6.單管動態基本單元電路結構
整體結構過於簡單，只有兩條線，一條充當控制線，另一條充當數據線，一個MOS控制管，一個電容。
7.單管動態基本單元電路的功能
通過電容的充放電來讀或者寫。
簡單分析下動態單管基本單元電路的讀寫過程，水平的是數據線，垂直的位線是控制線。兩種控制線復用，兩種數據線復用。這就是集成度提高的原因。具體系統分辨出位線何時充當讀控制線，何時充當寫控制線，我們還不清楚，但是不影響我們理解這個讀寫的機制。位線顯示為讀控制時，電容和數據線導通，電容中有電荷時，數據線有電流通過，讀出信號1。電容中無電荷時，數據線中沒有電流通過，讀出數據為0。寫的過程更為簡單，無論是三管還是單管，寫過程普遍比較簡單。位線顯示為寫控制時，數據線上有電荷，那么電容就不停地充電，電容存儲的信息就為1。數據線上沒有電荷，那么電容中也就不會存在電荷，寫入的信息則為0.
舉例來說明三管動態芯片和單管動態芯片
三管動態芯片和靜態RAM芯片有很大的不同。
我們回想一下之前靜態芯片的整個工作流程，除了存儲矩陣，行列選擇線，讀取控制器和讀寫控制線，片選線。在這個體系中，每一行存儲矩陣只有一條行選擇線聯通，而動態RAM三管芯片則是兩個行選擇線，這兩條線還充當讀或者寫選擇線的作用（既充當行選擇的作用，也充當控制線的作用），靜態芯片列選擇線在每一列中是兩條位線，這兩條位線也擔當着讀或寫數據線的間接通路，不是讀寫數據線，數據線在讀寫控制器上接着。但是動態三管芯片的兩條列選擇線或者說位線，則就是讀或寫數據線。還有一點不同是，在動態芯片中，每一列的下面都有一個刷新方法器，這是由於動態存儲的原理決定的。