1.cpu與soc
內核版本號與soc版本號由arm公司確定。
芯片型號由各半導體公司確定。
soc包括cpu與一些基本內設。（一般提到CPU都指的是soc，實際上cpu只是soc的一部分）。
RISC與CISC
CISC復雜指令集：指令繁多，但是效率高。Intel等桌面pc使用這種指令集。功耗大。
RISC精簡指令集: 指令少，但是效率略低。優點是功耗低適合嵌入式設備。
統一編址&獨立編址
內存通過CPU的地址總線來尋址定位，然后通過CPU數據總線來讀寫。CPU的地址總線的位數是CPU設計時確定的，因此一款CPU所能尋址的范圍是一定的，而內存是需要占用CPU的尋址空間的。內存與CPU的這種總線式連接方式是一種直接連接，優點是效率高訪問快，缺點是資源有限，擴展性差。
CPU訪問各種外設有2種方式：一種是類似於訪問內存的方式，即把外設的寄存器當作一個內存地址來讀寫，從而以訪問內存相同的方式來操作外設，叫IO與內存統一編址方式；另一種是使用專用的CPU指令來訪問某種特定外設，叫IO與內存獨立編址。
由於內存訪問頻率高，因此采用總線式連接，直接地址訪問，效率最高。
IO與內存統一編址方式，優勢是IO當作內存來訪問，編程簡單；缺點是IO也需要占用一定的CPU地址空間，而CPU的地址空間是有限資源。
IO與內存獨立編織方式，優勢是 不占用CPU地址空間，缺點是CPU設計變復雜了
哈佛結構&馮諾依曼結構
程序和數據都放在內存中，且不彼此分離的結構稱為馮諾依曼結構。譬如Intel的CPU均采用馮諾依曼結構。
程序和數據分開獨立放在不同的內存塊中，彼此完全分離的結構稱為哈佛結構。譬如大部分的單片機（MCS51、ARM9等）均采用哈佛結構。
馮諾依曼結構中程序和數據不區分的放在一起，因此安全和穩定性是個問題，好處是處理起來簡單。
哈佛結構中程序（一般放在ROM、flash中）和數據（一般放在RAM中）獨立分開存放，因此好處是安全和穩定性高，缺點是軟件處理復雜一些（需要統一規划鏈接地址等）
ARM體系總結
常用ARM匯編指令只有二三十條
ARM是低功耗CPU
ARM的架構非常適合單片機、嵌入式，尤其是物聯網領域；而服務器等高性能領域目前主導還是Intel
大部分ARM（M3 M4 M7 M0 ARM9 ARM11 A8 A9等）都是32位架構
32位ARM CPU支持的內存少於4G，通過CPU地址總線來訪問
SoC中的各種內部外設通過各自的SFR編程訪問，這些SFR的訪問方式類似於訪問普通內存，這叫IO與內存統一編址。
常見ARM（除ARM7外）都是哈佛結構的
哈佛結構保證了ARM CPU運行的穩定性和安全性，因此ARM適用於嵌入式領域
哈佛結構也決定了ARM裸機程序（使用實地址即物理地址）的鏈接比較麻煩，必須使用復雜的鏈接腳本告知鏈接器如何組織程序；對於OS之上的應用（工作在虛擬地址之中）則不需考慮這么多
CPU和外部存儲器的接口
內存 內部存儲器 用來運行程序的 RAM 舉例（DRAM SRAM DDR）
外存 外部存儲器 用來存儲東西的 ROM 舉例（硬盤 Flash（Nand iNand···· U盤、SSD） 光盤）
CPU連接內存和外存的連接方式不同。內存需要直接地址訪問，所以是通過地址總線&數據總線的總線式訪問方式連接的（好處是直接訪問，隨機訪問；壞處是占用CPU的地址空間，大小受限）；外存是通過CPU的外存接口來連接的（好處是不占用CPU的地址空間，壞處是訪問速度沒有總線式快，訪問時序較復雜）
SoC常用外存：
NorFlash 總線式訪問，接到SROM bank，優點是可以直接總線訪問，一般用來啟動。 //小容量
NandFlash： 分為SLC和MLC //
eMMC/iNand/moviNand eMMC（embeded MMC） iNand是SanDisk公司出產的eMMC，moviNand是三星公司出產的eMMC //手機內部
oneNAND oneNand是三星公司出的一種Nand
SD卡/TF卡/MMC卡
eSSD
SATA硬盤（機械式訪問、磁存儲原理、SATA是接口）
外部總線接口(EBI)被用作S5PV210外圍。它依賴於內存控制器釋放 外部請求外部總線空閑內存控制器時,因為它沒有當內存的知識 訪問將開始或完成。它使一個SROM控制器、一個OneNAND控制器和一個快閃記憶體 控制器、分享外部內存總線、內存端口0。
啟動過程詳解
內存：
SRAM 靜態內存 特點就是容量小、價格高，優點是不需要軟件初始化直接上電就能用
DRAM 動態內存 特點就是容量大、價格低，缺點就是上電后不能直接使用，需要軟件初始化后才可以使用。
單片機中：內存需求量小，而且希望開發盡量簡單，適合全部用SRAM
嵌入式系統：內存需求量大，而且沒有NorFlash等可啟動介質
PC機： 內存需求量大，而且軟件復雜，不在乎DRAM的初始化開銷，適合全部用DRAM
外存：
NorFlash：特點是容量小，價格高，優點是可以和CPU直接總線式相連，CPU上電后可以直接讀取，所以一般用作啟動介質。
NandFlash（跟硬盤一樣）：特點是容量大，價格低，缺點是不能總線式訪問，也就是說不能上電CPU直接讀取，需要CPU先運行一些初始化軟件，然后通過時序接口讀寫。
所以一般PC機都是：很小容量的BIOS（NorFlash）+ 很大容量的硬盤（類似於NandFlash）+ 大容量的DRAM
一般的單片機： 很小容量的NorFlash + 很小容量的SRAM
嵌入式系統：因為NorFlash很貴，隨意現在很多嵌入式系統傾向於不用NorFlash，
直接用：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC內置SRAM
S5PV210使用的啟動方式是：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC內置SRAM
實際上210的啟動還要更好玩一些，210內置了一塊96KB大小的SRAM（叫iRAM），同時還有一塊內置的64KB大小的NorFlash（叫iROM）。210的啟動過程大致是：
第一步：CPU上電后先從內部IROM中讀取預先設置的代碼（BL0），執行。這一段IROM代碼首先做了一些基本的初始化（CPU時鍾、關看門狗···）（這一段IROM代碼是三星出廠前設置的，三星也不知道我們板子上將來接的是什么樣的DRAM，因此這一段IROM是不能負責初始化外接的DRAM的，因此這一段代碼只能初始化SoC內部的東西）；然后這一段代碼會判斷我們選擇的啟動模式（我們通過硬件跳線可以更改板子的啟動模式），然后從相應的外部存儲器去讀取第一部分啟動代碼（BL1，大小為16KB）到內部SRAM。
第二步：從IRAM去運行剛上一步讀取來的BL1（16KB），然后執行。BL1負責初始化NandFlash，然后將BL2讀取到IRAM（剩余的80KB）然后運行
第三步：從IRAM運行BL2，BL2初始化DRAM，然后將OS讀取到DRAM中，然后啟動OS，啟動過程結束。
思路：因為啟動代碼的大小是不定的，有些公司可能96kb就夠了，有些公司可能1MB都不夠。所以剛才說的2步的啟動方式不合適。三星的解決方案是：把啟動代碼分為2半（BL1和BL2），這兩部分協同工作來完成啟動。