STM8 EEPROM心得

對於STM8來說，其內部的EEPROM確實是個不錯的東西，而且STM8S103/105價格已經非常便宜了，當然也可以用STM8S003/005代替，而且價格更便宜，大概在，1.2/2.0元左右，比103/105的便宜1元左右，而且有網友說，其實這兩個系列的晶圓完全是一樣的(這個是秘密哦)，至於ST為什么要這樣做，我們就不去猜了，大家應該都知道。

       對於EEPROM的讀寫時間比較長，特別是寫入的時間，都是在ms級的，想必大家都知道。但是對於單片機內置EEPROM來說，由於其內部特性，導致單片 機在操作EEPROM時，不能產生中斷，當然這個問題一般來說是沒有問題的。但是像有數碼管掃描的產品來說，這個就是問題了，一般來說，3位數碼管掃描周 期為18ms是沒有問題的，但大於這個時間，就有閃爍的感覺了，所以，對於3位數碼管來說，沒有顯示的時間大概為6ms，而我們從STM8芯片手冊上得到 是典型的EEPROM操作時間為6.6ms，所以，顯示3位數碼管就比較危險了，如果是4位，或者更多，那就更麻煩了。

      對於實驗確實可以獲取EEPROM的操作時間大概是2.5ms每字節，為此，如果在時間限制比較短的地方，我們可以在數碼管點亮后的空閑時間去顯示數 據，但每次只能是一字節數據，故要解決這個問題，最好建立個顯示緩沖，每次在顯示空閑時間去看緩沖中有無數據，如果有，我們就存儲，直到存儲完整為止。但 是我們還發現一個問題，如果用EEPROM的塊操作，實際上，消耗的時間和用操作一字節是一樣的。所以，我們也可以用每次操作一塊的方式實現EEPROM 的操作，從而實現，大量數據的存儲。

下面我們簡單說說，如何實現塊操作：

    STM8的庫函數中已經提供了塊操作函數FLASH_ProgramBlock()，但是要進行塊操作，還必須進行一系列的配置，否則，程序代碼會死在這個函數里邊的。


    1. 修改stm8s_conf.h的注射，讓#include "stm8s_flash.h"得以編譯

    2.修改stm8s.h的注射，讓使Flash功能能夠從RAM中運行

#if !defined (RAM_EXECUTION)
    #define RAM_EXECUTION  (1)                                                  // 塊寫入時，必須打開這里的注射
#endif /* RAM_EXECUTION */


   3.修改完成后，將產生不少警告，消除的方法，暫時還沒有找到，但不影響代碼的運行。

/**************************************************************************************
* FunctionName   : EEPWirteBlock()
* Description    : 塊寫入
* EntryParameter : None
* ReturnValue    : None
**************************************************************************************/
void EEPWirteBlock(u16 blockNum, u8 *pDat)
{
    //u8 tmpBuf[FLASH_BLOCK_SIZE] = {0};

    FLASH_EraseBlock(blockNum, FLASH_MEMTYPE_DATA);
    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)
    {
        ;
    }
    
    FLASH_ProgramBlock(blockNum, FLASH_MEMTYPE_DATA, FLASH_PROGRAMMODE_FAST, pDat);
    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)
    {
        ;
    }
}