大二學的模電，現在又拿起來，感嘆自己學的實在太差，所以結合一些資料開始總結筆記
pn結和空間電荷區還是有區別的。這里說點題外話
濃度差導致擴散運動，而空間電荷區內電場會導致漂移運動
當參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同時，達到動態平衡，此時形成pn結
也就是說 空間電荷區的形成不需要動態平衡的條件
以上為個人理解。
雜質半導體中的多子一般都是由雜質原子提供，少子是本征激發產生
P型半導體和n型半導體結合后，交界處p區的多子（空穴）向n區擴散，n區多子（電子）向p區擴散
前者是因為n區的空穴少產生了濃度差，后者是因為p區電子少產生了濃度差，由此產生了擴散
這里空穴的移動是相對的，p區的空穴被n區過來的電子結合，所以p區少了一個空穴，而n區電子離開后會留下一個空穴，這就好似空穴從p區擴散到了n區，實際上是相對而言。
擴散之后出現了復合，即n區的電子與擴散過來的空穴結合，p區的空穴與擴散過來的電子結合
這就導致n區雜質原子失去電子，留下了帶正電的雜質離子，p區失去空穴，即得到電子，留下帶負電的雜質離子（對照下面原因）
由此形成了所謂的空間電荷即耗盡區
而p區是負離子區，n區正離子區，這些離子不能移動（溶液中的離子可以移動，固體中的不能），由此會形成電場
（原因：原子是由原子核和核外電子組成，原子核帶正電荷，繞核運動的電子則帶相反的負電荷。原子的核電荷數與核外電子數相等，因此原子顯電中性。
當原子得到一個或幾個電子時，核外電子數多於核電荷數，從而帶負電荷，稱為陰離子。 當原子失去一個或幾個電子時，核外電子數少於核電荷數，從而帶正電荷，稱為陽離子。）
p與n型半導體都是電中性，區別在於它們的載流子極性不同，所以說p或n型半導體顯電性是錯誤的
那么p區為何是負離子呢？
因為p型半導體本身是電中性的，空穴是正電，所以離子得是負電