首先是2440的存儲控制器：
暫時不管是從nand啟動還是nor啟動，因為我現在只關注內存，從上圖可以看到由2440的Memory Controller可以尋址的范圍是0x0000,0000---0x4000,0000，總共是１G，這１G又分為８個bank，bank0-bank7，每個bank為128M, ８*128M＝１G。其中bank0-bank5這6個bank是只能接SROM,那么什么是SROM，2440數據手冊的221頁說明了，SROM是ＲＯＭ或者SRAM。
通用存儲設備：
內存存儲設備的存儲方式：ROM，RAM
ROM(Read-Only Memory)：只讀存儲器，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失。如：PC里面的BIOS。
RAM(Random Access Memory) ：隨機訪問存儲器，存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。可以理解為，當你給定一個隨機有效的訪問地址，RAM會返回其存儲內容(隨機尋址)，它訪問速度與地址的無關。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間內隨機訪問使用的程序。計算機系統里內存地址是一個四字節對齊的地址（32位機），CPU的取指，執行，存儲都是通過地址進行的，因此它可以用來做內存。
RAM按照硬件設計的不同，隨機存儲器又分為DRAM（Dynamic RAM)動態隨機存儲器和SRAM（Static RAM) 靜態隨機存儲器。
DRAM：它的基本原件是小電容，電容可以在兩個極板上短時間內保留電荷，可以通過兩極之間有無電壓差代表計算機里的0和1，由於電容的物理特性，要定期的為其充電，否則數據會丟失。對電容的充電過程叫做刷新，但是制作工藝較簡單，體積小，便於集成化，經常做為計算機里內存制作原件。比如：PC的內存，SDRAM, DDR, DDR2, DDR3等，缺點：由於要定期刷新存儲介質，存取速度較慢。
SRAM：它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。因此其存取速度快，但是體積較大，功耗大，成本高，常用作存儲容量不高，但存取速度快的場合，比如CPU的L1 cache，L2cache(一級，二級緩存) ，寄存器。
由於價格和存儲量的限制，mini2440上作為內存的就是DRAM，從上圖看得出，只有bank6,bank７才能接DRAM，那么我猜想控制bank6,7的Memory Controller對應的寄存器肯定有一個控制刷新的部分，其他幾個不具備，因為不需要。再看看mini2440上的內存芯片怎么和2440接線的，它使用了２塊１６位寬的SDRAM:
從上圖來看，芯片包括了最基本的地址線，數據線，對比２塊芯片，發現它們相同的地址線是連在一起的，都是A0-A12，共13根地址線，而數據線一塊是連接2440的LDATA0---LDATA15,一個是LDATA16-LDATA31，再看看2440的引腳：
可以看出，2440的數據線是DATA0-DATA31,可以接收的數據寬度是32位，而它的地址線是ADDR0--ADDR26，一共是27根，那么２^27就是128M，正好是內存控制器一個bank的大小。再聯系SDRAM和2440的接線方式，發現數據線32根分別由２塊芯片對接，２塊芯片分別用16根，而地址線只用了13根，２^13=8K，那怎么可能做到尋址128M呢？何況SDRAM上居然是從LADDR2開始接線的。那么就得看看SRAM的手冊，看看它是怎么被尋址的。
mini2440上SDRAM型號是H57V2562GTR，是一個256Mb的16位位寬的DRAM,注意這里是256Mb，是小b,所以總共是256／８＝３２MB。看看SDRAM內部的結構功能框圖:
這款DRAM內部的存儲單元首先是由4個稱作BANK的單元組成（圖中Memory Cell Array），然后每個BANK單元上是由一個存儲矩陣組成，通過ＸＹ軸定位到最小尋址粒度的一個單元，也就是一個１６bit的存儲單元。然后把這個16bit的單元里面的數據放到數據輸出口上。打個比方，假設一塊DRAM是一個Excel文件，那么它的bank就是Excel的一個sheet，由橫坐標(ABCDEF.......)和縱坐標(12345....）定位一個最基本的單元格，這個單元格就是DRAM的基本存儲單元，這款DRAM是16位寬的，所以基本存儲單元就是16bit。再看看左下角的Address Buffers，A0-A12,13根地址線，BA0-BA1，2根BANK選擇線。圖中顯示一個Memory Cell Array大小是4M * 16 bit，16bit是芯片的基本尋址單元，所以要求地址線要有4M的尋址能力，2^22 = 4M，也就是說需要22根地址線才能做到，但是這里只提供了A0-A12,13根線。如何做到呢？答案是地址線復用。可以看到State Machine那個功能塊有RAS、CAS這樣兩根線（RAS: Row Address Select，CAS:Column Address Select），它們低電平有效。RAS有效時，A0-A12上的地址就是Row Addess，地址信號A0-A12 ---> Address Buffers--->Address Register ---->Row Pre Decoder--->X decorders，同理CAS有效時，A0-A12上就是Column Address，不過此時這款SDRAM只有9個Column地址有效，地址信號A0-A8 ---> Address Buffers--->Address Register ---->Column Pre Decoder--->Y decorders。這樣13+9 = 22，22根地址線就通過時分復用的方式出來了。
上圖中只演示了在一個Memory Cell Array內尋址的過程，其實在這之前還有：片選(CS)--->Memory Cell Array號（BA[0:1]）選中某塊SDRAM的某個Memory Cell Array。
細看DRAM的介紹:
原來只有行地址用了13位，列地址只用了9位，那么通過計算一共是2^(13+9+2+1)=32MB，和芯片的規格一致，那么這樣解釋就合理了。2440怎么使用這２塊SDRAM的呢?是用２塊拼接起來，一個來存儲低16位，一個存儲高16位。假設地址0x3000000０,尋址它怎么得到這個存儲單元的內容呢?首先它是屬於1G這個范圍內，然后又是處於BA，Array0，行０，列０。
由此可見僅僅需要29位就可以定位一個access cell，這也就是為什么mini2440地址線只接了A2開始的13位到SDRAm上，由於2440的存儲控制器每次只能以４byte對齊訪問，一個int的４個byte分別存儲在２個芯片上，然后４byte的數據讀到存儲控制器，地址還未用到的最低２位在存儲控制器里面決定是用哪個byte。這就是一個byte的尋址過程。
2440SDRAM可以使用16位寬的２片拼接，或者８位的４片拼接，32位的１片。顯然如果是２片時，這２片的大小必須要一樣大的，否則多出來的就會只能存16bit，其他的位會丟失掉，４片也是同樣的。
H57V2562GTR，SDRAM管腳說明
| 外接管腳名 |
內接管腳名 |
全稱 |
描述 |
| A2~A14 |
A0~A12 |
Address |
地址線 |
| D0 ~D31 |
DQ0~DQ31 |
Data Input/Output |
數據線 |
| A24,A25 |
BA0,BA1 |
Bank Address |
L-BANK片選信號 |
| DQM0~DQM3 |
LDQM, UDQM |
Data Input/Output Mask |
高，低字節數據掩碼信號 |
| SCKE |
SCKE |
Clock Enable |
輸入時鍾有效信號 |
| SCLK |
SCLK |
Clock |
輸入時鍾 |
| nSCS0 |
nSCS |
General Chip Select |
片選信號（它與nGCS6是同一管腳的兩個功能） |
| nSRAS |
nSRAS |
Row Address Strobe |
行地址選通信號 |
| nSCAS |
nSCAS |
Column Address Strobe |
列地址選通信號 |
| nWE |
newnWE |
Write Enable |
寫入有效信號 |
看２片SDRAM和2440的接線可以看出來，它們只有數據腳和LDQM UDQM引腳不同,這２個引腳來決定數據引腳上高８位和低８位的有效性，由於2440內存控制器只能發出4byte對齊的數據給SDRAM(data線的連接固定了)，那么我如果只想存儲或者讀取一個byte，怎么辦?由這２個引腳來控制，它來決定１６位寬的高低8位的有效性，確保不想改的byte內容不變。
參考自:
http://blog.csdn.net/mr_raptor/article/details/6555786