內存條分類及規格參數介紹


內存可以根據儲存能力與電源的關系可以分為以下兩類:

易失性存儲器(Volatile memory)指的是當電源供應中斷后,存儲器所儲存的資料便會消失的存儲器。主要有以下的類型:

  • RAM(Random access memory,隨機訪問存儲器)
    • DRAM(Dynamic random access memory,動態隨機訪問存儲器)
    • SRAM(Static random access memory,靜態隨機訪問存儲器)

非易失性存儲器(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷,存儲器所儲存的資料並不會消失,重新供電后,就能夠讀取內存資料的存儲器。主要有以下的類型:

  • ROM(Read-only memory,只讀存儲器)
    • PROM(Programmable read-only memory,可編程只讀存儲器)
    • EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可編程只讀存儲器)
    • EEPROM (Electrically erasable programmable read only memory,可電擦可編程只讀存儲器)
  • Flash memory(快閃存儲器)

按內存條的接口形式,常見內存條有兩種:

單列直插內存條(SIMM)和 雙列直插內存條(DIMM)

按內存的工作方式:

  • FPA EDO DRAM-------FPM(FAST PAGE MODE)RAM
  • EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
  • SDRAM(同步動態RAM)-----S(SYSNECRONOUS)DRAM
  • DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM

內存條性能評價指標:

  • 存儲容量:即一根內存條可以容納的二進制信息量,如目前常用的168線內存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。
  • 存取速度:即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間,又稱為存儲周期,半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。
  • 存儲器的可靠性:存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量,可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。
  • 性能價格比:性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容,性能價格比是一個綜合性指標,對於不同的存儲器有不同的要求。

SDR和DDR1/2/3全系列內存對照表:

single-sided和double-sided、single-rank和double-rank

如果1根ECC DIMM的9顆芯片都位於DIMM的同一面,就叫做single-sided(單面)。如果9顆芯片分布在DIMM的兩面,就叫做double-sided(雙面)。作為對single-sided和double-sided的補充,DIMM還被分為single-rank和double-rank(也就是我們在內存的lable上經常能看到的1R,2R)。

2R*8----R是rank,8是內存顆粒位寬;當顆粒位寬×顆粒數=64bits時,這個模組就是有一個RANK。

References

http://www.360doc.com/content/11/0607/10/939554_122177662.shtml   內存頻率介紹

http://wenku.baidu.com/view/5b55a47302768e9951e7385c.html single-sided/double-sided/single-rank/double-rank

http://diybbs.zol.com.cn/7/315_67201.html rank數的計算

http://www.zkvod.com/Jsjc/ShowArticle.asp?ArticleID=11 內存 bank 和rank 區別 

 

 


免責聲明!

本站轉載的文章為個人學習借鑒使用,本站對版權不負任何法律責任。如果侵犯了您的隱私權益,請聯系本站郵箱yoyou2525@163.com刪除。



 
粵ICP備18138465號   © 2018-2025 CODEPRJ.COM