1.Precharge與Refresh的區別？
plj:兩者都是對存儲單元的電容進行充電、回寫。但差異在於：
Precharge是對(一個或所有Bank)的所有工作行(active row)操作，並且是隨機的，被操作工作行的地址在各Bank中不一相同。
Refresh是對所有行依次操作，且是有固定周期的，被操作行在各Bank中均相同。
2.AutoRefresh與SelfRefresh的區別？
plj:AutoRefresh是user依照指定周期發給芯片的刷新命令
SelfRefresh是芯片內部邏輯發給自己的刷新命令
無論何種Refresh均不需要提供地址，它是芯片內部的自動操作。
3.R/W帶與不帶Auto Precharge的區別？
plj:帶AutoPrecharge時：在R時，芯片自動在(最后一個有效輸出數據)前(CL-1)個時鍾時產生Precharge命令。
在W時，芯片自動在(最后一個有效輸出數據)后(Twr)時間產生Precharge命令。
不帶AutoPrecharge時，需要user在上述時刻自己產生Precharge命令。
4.CL參數只有效於Read操作。
5. 每個Bank中只能有一個Row處於active狀態，且可以進行R/W。
如果想操作同Bank中的另外一個Row，必須使用Precharge關閉當前工作Row，然后再active目的Row，這樣才能R/W
6. 每個Bank均active一個Row，依次在各個Bank間操作Row，這樣避免R/W時消耗的多余時鍾周期，可以提高數據傳輸帶寬
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1.正常Read時的Precharge
Auto_Precharge和手動Precharge都在最后一個有效數據(LVD)前CL-1個時鍾上升沿發出
2. 手動Precharge終結Read
手動Precharge在最后一個有效數據(LVD)前CL-1個時鍾上升沿發出
3.手動Burst Terminate終結Read
Burst Terminate在最后一個有效數據(LVD)前CL-1個時鍾上升沿發出
4.正常Write時的Precharge
Auto_Precharge和手動Precharge都在最后一個有效數據(LVD)后tWR/tDPL時間的時鍾上升沿發出
5. 手動Precharge終結Write
手動Precharge在最后一個有效數據(LVD)后tWR/tDP時間的時鍾上升沿發出
或者在Precharge同時使能DQM屏蔽掉同時刻寫入的數據
6.手動Burst Terminate終結Write
Burst Terminate在最后一個有效數據(LVD)后1個時鍾上升沿發出
7.Burst Terminate與手動Precharge在終結Read/Write中的區別？
帶AutoPrecharge的R/W過程中，禁止使用BT和手動Precharge命令。
Burst Terminate適用於 全頁R/W、不帶AutoPrecharge的突發R/W