1. 先看下原理图,原理图是电流从IDAC1流出,提供驱动,然后R(REF)这个电阻上的电压作为参考,读取AIN0和AIN1的电压,那么可以测量出来电阻值。 2. 上图是官方给出的参考,下图是我实际用的原理图,其中PT100的是在0摄氏度的时候,是100欧姆,上升1摄氏度,电阻增加 ...
STM 调试PT . 主控芯片:STM L ZG . 使用芯片内部ADC . 注意事项: 首先对硬件电路进行公式的换算得出真实的电压和采集的电压 一定要测量ADC入口端的电压值和ADC采出来的是不是一样 使用电压反推出PT 的电阻如下图所示: 采集出来的是Vo。反推出PT 的电阻。通过电阻可以查表计算也可以根据公式计算 所以公式分两段,推出温度和电阻的对应关系 待验证 已经验证过 注意:首先确认自 ...
2021-12-20 15:15 0 1380 推荐指数:
1. 先看下原理图,原理图是电流从IDAC1流出,提供驱动,然后R(REF)这个电阻上的电压作为参考,读取AIN0和AIN1的电压,那么可以测量出来电阻值。 2. 上图是官方给出的参考,下图是我实际用的原理图,其中PT100的是在0摄氏度的时候,是100欧姆,上升1摄氏度,电阻增加 ...
P100电压采集放大电路:前半部分是4.096V恒压源电路,然后是一个桥式电压采样电路,后面是一个电压放大电路。一 4.096V恒压源电路: 因Vref = 2.5V,故有4.096 = (1 + R1/R2)*2.5,得出R1/R2 = 1.6384,可以通过调节滑动变阻器实现 ...
最近温度测试这块,已使用过pt100、pt1000,和热电偶,这里进行大致的总结。1、pt系列pt100和pt1000的精度相比较,1000更加精细,毕竟他的电阻值更加大。两个电阻都是有分度表的,pt100是0度对应100欧姆,pt1000是0度对应1000欧姆,他俩的阻值会随着温度的变化而改变 ...
据说Flash的擦写次数是有限的,所以在调试的时候擦来擦去不好,看到boot0、boot1可以配置从SRam启动,就查了相关资料,试了一下,ok了。记录一下,免得以后又忘了。跟flash调试部分相同的就不再描述了,重点在于SRam调试的设置部分,大部分以图片形式 ...
CubeMX生成的MSC,默认堆大小式0x200,设备管理器黄色叹号,提示由于仅部分匹配或匹配不明确,因此无法迁移设备 将堆大小改为0xf00,能够识别出大容量存储设备。 CubeMX生成的vi ...
(成功了)。 小孙想要总结这一年来学到的关于stm32的USB相关知识,但又 ...
在学习STM32的时候,由于烧FLASH的所造成的时间会比较慢,而在SRAM中调试的时间会比FLASH快很多,再加上FLASH的时候会经常擦除芯片,会对芯片的寿命造成一定的影响, 其实我本人觉得在学习STM32的路途中,没有必要也大可不必使用烧FLASH的路径来对芯片进行实验性的学习 ...
2019年11月 一般来说,STM32的调试可以使用SWD。SWCLKGNDTMSRST SWDIOTDO_SWO 最为重要的就是三根线: GND、CLK、DIO。 供电为3.3V。可以不接。 其中DIO是在7-th pin上,而CLK是在9-th pin上。GND在下面一排基本都是 ...