编辑-Z 25N120详细参数: 型号:ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):25A 脉冲集电极电流(ICM):75A 二极管连续正向电流(IF):25A 二极管最大正向电流(IFM ...
编辑 Z N 在TO 封装里引出 个引脚,是一款低功耗场效应管。 N 的脉冲二极管正向电流 IFM 为 A,G E漏电流 IGES 为 nA,其工作时耐温度范围为 摄氏度。 N 的栅极 发射极电压 VGES 为 V。 N 的电性参数是:二极管连续正向电流 IF 为 A,集电极 发射极电压 VCES 为 V,二极管正向电压降 VFM 为 . V,反向恢复时间 trr 为 NS。 N 参数描述 型号: ...
2021-12-18 16:26 0 953 推荐指数:
编辑-Z 25N120详细参数: 型号:ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):25A 脉冲集电极电流(ICM):75A 二极管连续正向电流(IF):25A 二极管最大正向电流(IFM ...
编辑:ll 25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-247 电性参数:25A 1200V 正向电流:25A 反向耐压:1200V 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:大电流、MOS ...
编辑-Z MOS管25N120广泛应用于各种电路中,MOS管的形状类似于三极管、晶闸管、三端稳压器、IGBT,所以大家有时分不清MOS管是什么,下面我以MOS管25N120为例给大家做个详细的介绍。 25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-247 特性:大电流MOS ...
编辑-Z 40N120参数描述 型号:40N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:40A 1200V 集电极电流(IC):40A 脉冲集电极电流(ICM):160A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±25V G-E ...
编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极 ...
编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A,G-E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是:二极管 ...
编辑-Z 15N120详细参数: 型号:MOS管15N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):15A 脉冲集电极电流(ICM):45A 二极管连续正向电流(IF):15A 二极管最大正向电流(IFM):45A ...
编辑-Z 7N60详细参数: 型号:ASEMI场效应管7N60 漏源电压(VDSS):600V 栅源电压(VGSS):±30V 持续漏极电流(ID):7A 脉冲漏极电流(IDM):28A 雪崩电流(IAR):7A 工作结点和存储温度范围(TJ,TSTG):-55 to +150 ...