编辑-Z 7N60详细参数: 型号:ASEMI场效应管7N60 漏源电压(VDSS):600V 栅源电压(VGSS):±30V 持续漏极电流(ID):7A 脉冲漏极电流(IDM):28A 雪崩电流(IAR):7A 工作结点和存储温度范围(TJ,TSTG):-55 to +150 ...
编辑 Z N 在TO 封装里引出 个引脚,是一款低功耗场效应管。 N 的脉冲二极管正向电流 ISM 为 A,漏源击穿电流 IDSS 为 uA,其工作时耐温度范围为 摄氏度。 N 的栅源电压 VGS 为 V,导通电阻RDS on 为 . 。 N 的电性参数是:连续二极管正向电流 IS 为 A,漏源电压 VDSS 为 V,源 漏二极管压降 VSD 为 . V,反向恢复时间 trr 为 NS。 N 参数 ...
2021-12-16 17:19 0 121 推荐指数:
编辑-Z 7N60详细参数: 型号:ASEMI场效应管7N60 漏源电压(VDSS):600V 栅源电压(VGSS):±30V 持续漏极电流(ID):7A 脉冲漏极电流(IDM):28A 雪崩电流(IAR):7A 工作结点和存储温度范围(TJ,TSTG):-55 to +150 ...
编辑:ll 10N60-ASEMI品质大功率场效应管 型号:10N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 电流:10A 电压:600V 正向电压: 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 漏电流: 特性:大电流、场效应管 工作温度:-55~+150℃ 10N60的电性 ...
编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏?将万用表拨到“RX1K”位置,将电调调到零。7N80的字面朝向自身,从左到右:G(栅极)、D(漏极)、S(源极)。先将黑色表笔接G极,再将红色表笔分别接触D极和S极,然后交换表笔,再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动,那么初步判断 ...
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...
编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极 ...
编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A,G-E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是:二极管 ...
编辑:ll 25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-247 电性参数:25A 1200V 正向电流:25A 反向耐压:1200V 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:大电流、MOS ...
编辑-Z 40N120参数描述 型号:40N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:40A 1200V 集电极电流(IC):40A 脉冲集电极电流(ICM):160A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±25V G-E ...