原文:MOS管25N120-ASEMI是什么

编辑 Z MOS管 N 广泛应用于各种电路中,MOS管的形状类似于三极管 晶闸管 三端稳压器 IGBT,所以大家有时分不清MOS管是什么,下面我以MOS管 N 为例给大家做个详细的介绍。 N 参数描述 型号: N 封装:TO 特性:大电流MOS管 电性参数: A V 芯片材质:GPP 集电极电流 Ic : A 脉冲集电极电流 ICM : A G E极阈值电压 VGE : . V G E极漏电流 I ...

2021-10-30 16:20 0 120 推荐指数:

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25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V

编辑:ll 25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-247 电性参数:25A 1200V 正向电流:25A 反向耐压:1200V 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:大电流、MOS ...

Tue Oct 26 19:03:00 CST 2021 0 104
MOS25N120参数,ASEMI场效应管25N120应用

编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
ASEMI场效应管25N120参数,25N120规格,25N120描述

编辑-Z 25N120详细参数: 型号:ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):25A 脉冲集电极电流(ICM):75A 二极管连续正向电流(IF):25A 二极管最大正向电流(IFM ...

Wed Jan 05 00:41:00 CST 2022 0 900
MOS管15N120-ASEMI,15N120参数,15N120应用特征

编辑-Z 15N120详细参数: 型号:MOS管15N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):15A 脉冲集电极电流(ICM):45A 二极管连续正向电流(IF):15A 二极管最大正向电流(IFM):45A ...

Wed Dec 29 00:54:00 CST 2021 0 735
40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120

编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极 ...

Sat Dec 04 00:59:00 CST 2021 0 747
15N120-ASEMI场效应管15N120

编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A,G-E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是:二极管 ...

Sat Dec 18 01:15:00 CST 2021 0 160
ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势

编辑-Z 40N120参数描述 型号:40N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:40A 1200V 集电极电流(IC):40A 脉冲集电极电流(ICM):160A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±25V G-E ...

Sun Dec 19 00:27:00 CST 2021 0 1487
ASEMI肖特基二极管1N5819压降是什么意思

编辑-Z 肖特基二极管1N5819压降是什么意思 二极管的管压降本质上是一个电阻,但导通时电阻很小,不导通时接近无穷大,导通时电阻会分担一定的电压,所以称为管压降。1N5819二极管两端的电压降为 0.6V。低于此电压,二极管将不导通。高于此电压,它将导通。二极管在指定正向电流下的正向压降。使 ...

Wed Apr 20 23:21:00 CST 2022 0 891
 
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