25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V
编辑：ll 25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电性参数：25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：大电流、MOS ...
原文：10N60-ASEMI品质大功率场效应管
编辑：ll N ASEMI品质大功率场效应管 型号： N 品牌：ASEMI 封装：TO 电流： A 电压： V 正向电压： 引脚数量： 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：大电流 场效应管 工作温度： N 的电性参数：最大正向平均电流 A 最大反向峰值电压 V 场效应管工作原理用一句话说，就是 漏极 源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID 。更正确地说，ID ...
2021-10-27 11:05 0 108 推荐指数：
相关推荐
7N60-ASEMI场效应管7N60
编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...
ASEMI场效应管7N60，7N60详细参数，7N60应用领域
编辑-Z 7N60详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N60 漏源电压（VDSS）：600V 栅源电压（VGSS）：±30V 持续漏极电流（ID）：7A 脉冲漏极电流（IDM）：28A 雪崩电流（IAR）：7A 工作结点和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55 to +150 ...
ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏
编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏？将万用表拨到“RX1K”位置，将电调调到零。7N80的字面朝向自身，从左到右：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。先将黑色表笔接G极，再将红色表笔分别接触D极和S极，然后交换表笔，再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动，那么初步判断 ...
15N120-ASEMI场效应管15N120
编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是：二极管 ...
MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...
40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120
编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是：集电极 ...
ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势
编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E ...