原文:25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V

编辑:ll N ASEMI大功率场效应管 A V 型号: N 品牌:ASEMI 封装:TO 电性参数: A V 正向电流: A 反向耐压: V 引脚数量: 芯片个数: 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:大电流 MOS管 浪涌电流: 工作温度: 产品描述 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导 ...

2021-10-26 11:03 0 104 推荐指数:

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10N60-ASEMI品质大功率场效应管

编辑:ll 10N60-ASEMI品质大功率场效应管 型号:10N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 电流:10A 电压:600V 正向电压: 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 漏电流: 特性:大电流、场效应管 工作温度:-55~+150℃ 10N60的电性 ...

Wed Oct 27 19:05:00 CST 2021 0 108
MOS管25N120参数,ASEMI场效应管25N120应用

编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V25N120的电性参数 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
ASEMI场效应管25N120参数,25N120规格,25N120描述

编辑-Z 25N120详细参数: 型号:ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):25A 脉冲集电极电流(ICM):75A 二极管连续正向电流(IF):25A 二极管最大正向电流(IFM ...

Wed Jan 05 00:41:00 CST 2022 0 900
MOS管25N120-ASEMI是什么

管 电性参数:25A 1200V 芯片材质:GPP 集电极电流(Ic):25A 脉冲集电极电流( ...

Sun Oct 31 00:20:00 CST 2021 0 120
15N120-ASEMI场效应管15N120

编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A,G-E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是:二极管 ...

Sat Dec 18 01:15:00 CST 2021 0 160
40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120

编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极 ...

Sat Dec 04 00:59:00 CST 2021 0 747
ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势

编辑-Z 40N120参数描述 型号:40N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:40A 1200V 集电极电流(IC):40A 脉冲集电极电流(ICM):160A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±25V G-E ...

Sun Dec 19 00:27:00 CST 2021 0 1487
7N60-ASEMI场效应管7N60

编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A,漏源击穿电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V,导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...

Fri Dec 17 01:19:00 CST 2021 0 121
 
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