编辑:ll 10N60-ASEMI品质大功率场效应管 型号:10N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 电流:10A 电压:600V 正向电压: 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 漏电流: 特性:大电流、场效应管 工作温度:-55~+150℃ 10N60的电性 ...
编辑:ll N ASEMI大功率场效应管 A V 型号: N 品牌:ASEMI 封装:TO 电性参数: A V 正向电流: A 反向耐压: V 引脚数量: 芯片个数: 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:大电流 MOS管 浪涌电流: 工作温度: 产品描述 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导 ...
2021-10-26 11:03 0 104 推荐指数:
编辑:ll 10N60-ASEMI品质大功率场效应管 型号:10N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 电流:10A 电压:600V 正向电压: 引脚数量:3 芯片个数: 芯片尺寸: 漏电流: 特性:大电流、场效应管 工作温度:-55~+150℃ 10N60的电性 ...
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...
编辑-Z 25N120详细参数: 型号:ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):25A 脉冲集电极电流(ICM):75A 二极管连续正向电流(IF):25A 二极管最大正向电流(IFM ...
管 电性参数:25A 1200V 芯片材质:GPP 集电极电流(Ic):25A 脉冲集电极电流( ...
编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A,G-E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是:二极管 ...
编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极 ...
编辑-Z 40N120参数描述 型号:40N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:40A 1200V 集电极电流(IC):40A 脉冲集电极电流(ICM):160A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±25V G-E ...
编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A,漏源击穿电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V,导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...