编辑-Z MB6S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向电流(Io)为1A ...
编辑 Z 整流桥堆MB S,MBS 贴片封装,正向整流 A,反向耐压 V,正向压降 . V,正向峰值浪涌电流 A,反向泄漏电流 UA,ASEMI四脚整流桥MB S电路图外观参数如下: 型号:MB S 封装:MBS SOP 特性:小方桥 贴片桥堆 电性参数: A V 芯片材质:GPP 正向电流 Io : A 芯片个数: 正向电压 VF : . V 芯片尺寸: MIL 浪涌电流Ifsm: A 漏电流 ...
2021-06-08 17:26 0 1524 推荐指数:
编辑-Z MB6S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向电流(Io)为1A ...
编辑-Z ASEMI整流桥MB6S参数: 型号:MB6S 最大重复峰值反向电压(VRRM):600V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):420V 最大直流阻断电压(VDC):600V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 每个元件 ...
编辑-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片整流桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向 ...
编辑-Z 下面由ASEMI给大家全面解析大众型号MB6S整流桥。这是MB6S整流桥芯片,如图1,它的作用就是利用二极管的单向导通特性,将交流电转换成直流电。 ASEMI整流桥MB6S,芯片的封装形式为SOP-4贴片封装,引脚间距为2.5mm。封装材料为环氧树脂。如图 ...
编辑-Z db107s整流桥堆怎么测量好坏?拿到一个DB107S后,将其放好如图,(下面两脚代表AC,接交流电,测量时,AC的两脚当为一个整体来理解)。 DB107S参数描述 型号:DB107S 封装:SOP-4 特性:高压整流桥堆 电性参数:1A1000V 芯片材质:SI ...
编辑-Z MB10S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄贴片整流桥。MB10S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB10S的电性参数是:正向电流(Io ...
流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:4 ASEMI整流桥MB10 ...
编辑-Z MB10F是在MB10S系列基础上根据用户需求开发生产的新型号。从参数功能上看,MB10F就像是瘦身成功的MB10S,那么哪个比较好? ASEMI整流桥MB10S和MB10F详细对比: 整流桥MB10S和MB10F的电气参数相同:正向电流(Io)为1A,反向电压为1000V ...