原子层沉积技术 原子层沉积技术 原子层沉积,ALD 是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术。原子层沉积 ALD 也是一种用于纳米技术研究的有效方法。典型的原子层沉积应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。针对目前的市场需要,Beneq 通过提供具有创新性 ...
薄膜封装,等离子体技术,原子层沉积,化学气相沉积 薄膜封装 薄膜封装概念 薄膜真空沉积的一个很重要的技术应用就是薄膜封装。人们对薄膜封装最简单的认识就是日常生活中最常见的保鲜膜,水氧渗透率大约是 g m day。先进薄膜封装,通过真空沉积一层或多层厚度在纳米或微米尺度的薄膜,大幅减少本体与外界环境之间的物质交换,达到保护本体或外界环境的功能,一般来说水氧渗透率小于 . g m day。 化学沉积, ...
2021-05-17 05:59 0 2351 推荐指数:
原子层沉积技术 原子层沉积技术 原子层沉积,ALD 是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术。原子层沉积 ALD 也是一种用于纳米技术研究的有效方法。典型的原子层沉积应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。针对目前的市场需要,Beneq 通过提供具有创新性 ...
原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展 Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) of Copper-based Metallization ...
Atomic Layer Deposition原子层沉积技术 原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术。可以沉积均匀一致,厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深 ...
【转】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma:广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程,自70年代引入用于去胶,80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术 ...
转自北方华创官网:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景,从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配 ...
摘自《真空镀膜技术》--张以忱 一、直流放电的特性 1、暗光放电(A点-B点):开始给阴极施加负电压-->放电电流密度较小,仅为10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放电区(C点-D点):电压继续增大,进入汤森放电区。 特点:电压受电源输出阻抗 ...
摘自《等离子体放电原理与材料处理》1.3.1 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.1 ...
以下摘自《CO2激光驱动锡靶产生极紫外光源的实验研究》 一、EUV简介 在下一代光刻机光源的候选名单中,最受大家关注的是,离子体辐射极紫外光(EUV: extreme ultraviolet),极紫外光刻技术能够使特征尺寸小到50nm以内。 某些靶材的等离子体辐射出EUV ...