近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。 SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM ...

SRAM大多是由CMOS管组成的挥发性静态存储器。在掉电后存储器中所存数据就会丢失。随机静态存储器可以对任何地址进行读写操作，通过锁存器的原理对数据进行保存，在无操作状况下，锁存器处于稳态，保持数据稳定，不用进行周期性的电荷刷新。SRAM由基本单元构成的阵列以及外围电路构成，其中阵列的划分和外围 ...

SRAM、TCAM 　　静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新 ...

一个SRAM单元如上图所示，M1 M2，M3 M4分别组成反相器，两个反相器首尾相连。M5与M6为两个NOMS，他们的栅极连接再WL上，读写时，都需要在WL上加电压。 如何读取SRAM中存储的电压 当读取时，BLn和 BL两根线上加标准电压。假设Q为高电平（Q=1），Qn则为 ...

1. SRAM芯片的常用引脚：地址线、数据线、读写控制线、选择线。 2. SRAM芯片的引脚位数： 地址线的位数 = 芯片内的字数，例如：1024个字的芯片应该有10位地址线（1024 = 2^10，也就是1KB）。 数据线的位数 = 每个存储单元的位数，例如：1K x 8b的芯片 ...

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能，功耗较小。SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。但是SRAM也有它的缺点，集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM ...

特点简介： SRAM ：静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。 DRAM：动态RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。 DDR SDRAM：双通道 ...

首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别： 串口SRAM（或其它存储器）通常有如下的示意图： 串口SRAM引脚 引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口 ...