场效应晶体管 Field Effect Transistor, FET 简称场效应管，是一种由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管，它主要分型场效应管 Junction FET, JFET 和金属 氧化物半导体场效应管 Metal Oxide Semiconductor FET,MOSFET ，属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高 噪声小 功耗低 动态范围大 易于集成 无二次击穿 ...
2018-01-15 14:27 0 2166 推荐指数：
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管 ...
一、场效应管介绍 场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管，英文全称是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor，取其英文全称大写首字母，简称MOS或MOSFET。它是电压控制电流的元器件（即利用栅极电压来控制漏 ...
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。 ● 主要有两种类型 结型场效应管（junction FET，简称JFET) 金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称 ...
编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...
编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏？将万用表拨到“RX1K”位置，将电调调到零。7N80的字面朝向自身，从左到右：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。先将黑色表笔接G极，再将红色表笔分别接触D极和S极，然后交换表笔，再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动，那么初步判断 ...
1.4 场效应管（FET） 1.4.2 绝缘栅型场效应管（MOS管） 一、N沟道增强型MOS管 1、结构 g栅极 s源极 d漏极 2、工作原理 习惯上把和B连在一起的叫做源极（s） 若g不动，ds间加电压则无电流，因为两个背靠背的PN结永远有一个反偏，只能测到晶体管的漏电 ...
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...
编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是：二极管 ...
