存储器-RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH


1. RAM 

RAM: Random Access Memroy,随机访问存储器,典型代表:内存条。

特点:要是做运行时数据存储器,在掉电之后丢失数据。

分类:SRAM,DRAM.

2. ROM

ROM: Read-Only Memory, 只读存储器

特点:ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取,断电之后仍保存数据。

往ROM中注入数据需要另外的编译器,PC上面没有这个功能,一般在ROM出厂前注入信息,依次写入,永久保存,不能进行修改。在微机发展初期,BIOS都存放在ROM中。

3.PROM

PROM: Programmable Read-Only Memory 可编程只读存储器

PROM只允许写入一次,所以也被称为:“一次可编程只读存储器”,出厂时存储器的内容全为1,用户可以自己往里写数据,但只能写入一次,写错了也就废了。

4. EPROM

EPROM: Erasable Programmable Read-Only Memroy 可擦写可编程只读存储器

用户可以自己往里写数据,写错了可以可擦除然后重新写入。但是写入比较费劲,需要使用紫外线照射一段时间。

5. EEPROM

EEPROM: Electricall Erasable Programmable Read-Only Memory 带电可擦除可编程只读存储器

最大的优点是直接用电信号擦除,写入方便,写入时以byte为最小修改单位,也不必全部擦除重写。

6. Flash ROM

具备 RAM 和 ROM 的优点,又称闪存,是在EEPROM基础上的改进产品,与EEPROM不同的是,最小修改单位不是byte,而是块(block),block大小是厂家定的。近些年已逐步取代EEPROM,广泛用于主板的BIOS ROM。另外还主要用于U盘,MP3等需要大容量且断电后不丢失数据的设备。

分类:Nor Flash,Nand Flash.

NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH 里面的代码,这样可以减少SRAM 的容量 从而节约了成本。NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一快的 形式来进行的,通常是一次读取512 个字节(我要论文),采用这种技术的Flash 比较廉价。用户不能直 接运行NAND Flash 上的代码,因此好多使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外, 还作上了一块小的NOR Flash 来运行启动代码。 

一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而 大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip) 和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu 和Toshiba,而生产NAND Flash 的主要厂家有Samsung 和Toshiba


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