STM32F407 Flash操作笔记

简述

STM32F4XX的闪存擦除方式分为两种：扇区擦除（最小单元16K）和整片擦除。在实际应用中，为满足重要信息的存储，需将信息存入FLASH中，针对以上两种擦除方式，扇区擦除更符合实际的需要。
参考手册：

写FLASH操作

经过以上五个步，就可以擦除某个扇区。但是实际运用过程中，一个扇区只存储一个信息或标志，会造成资源严重浪费。现采用缓存的方式，先读取当下扇区的数据，将读取的数据和要写入的数据组合，待擦除后再次写入。

代码片

• 写FLASH操作

/* * WriteAddr： 起始地址 (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data * pBuffer： 数据指针 * NumToWrite：字（u32）数 */ void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite) { FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; u32 addrx=0; u32 endaddr=0; if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址 FLASH_Unlock();//解锁 FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存 addrx=WriteAddr; //写入起始地址 endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入结束地址 if(addrx<0X1FFF0000) //是否为主存储区 { while(addrx<endaddr) //对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除 { if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除 { status=FLASH_EraseSector(GetSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间！！ if(status!=FLASH_COMPLETE)break; //异常 }else addrx+=4; } } if(status==FLASH_COMPLETE) { while(WriteAddr<endaddr)//写数据 { if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据 { break; //写入异常 } WriteAddr+=4; pBuffer++; } } FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);//FLASH擦除结束，开启数据缓存 FLASH_Lock();//上锁 Printf("Flash status :%d\r\n",status); }

 

 

• 数据流存储

#define SectorLen 128 //数据长度 128 * 4 = 512 结合实际需要长度调整 /* * (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data * FreeStart( 0x08008000 )~FreeEnd( 0x08010000 ) */ void SaveDataToFlash( u32 address, u32 data ) { FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; u32 site[SectorLen] = {FreeStart}, FlashBuffer[SectorLen] = {0}; for ( u8 i = 0; i < SectorLen; i ++ )//读取扇区数据，随即擦除 { // if ( STMFLASH_ReadWord( site[i] ) != 0XFFFFFFFF)//0XFFFFFFFF代表无数据 { FlashBuffer[i] = STMFLASH_ReadWord( site[i] ); site[ i + 1 ] = site[i] + 4; if ( address == site[i] ) FlashBuffer[i] = data; } } FLASH_Unlock();//解锁 FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存 status = FLASH_EraseSector( GetSector( address ), VoltageRange_3 );//VCC=2.7~3.6V之间！！ if ( status == FLASH_COMPLETE ) { for (u8 i = 0; i < SectorLen; i ++) { if ( FLASH_ProgramWord( site[i], FlashBuffer[i] ) != FLASH_COMPLETE )//写入数据 { break; //写入异常 } } } FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束，开启数据缓存 FLASH_Lock();//上锁 Printf("Save status = %d\r\n",status); // return addr; }

 

 

读FLASH操作

STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位， 半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：data=(vu32)addr;
将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。

代码片

/* *faddr :读地址 *return:对应数据 */ u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr) { return *(vu32*)faddr; } //读FLASH操作 /* * ReadAddr ：起始地址 (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data * pBuffer ：数据指针 * NumToRead ：字（4位）数 */ void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead) { u32 i; for(i=0;i<NumToRead;i++) { pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节 ReadAddr+=4;//偏移4个字节 } }

 

• 在FLASH读写操作时，未使用数据类型（u32），致读到的数据一直为：-1（0xFFFF FFFF 默认值，即该地址写数据失败） ；
• 主存储区<0x0800 0000 ~ 0x080F FFFF>，存储数据地址小于0x0800 0000，存储出错，主控无响应。在写操作时，一定要保证其 Address 有效！